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RF

Erzielen Sie hocheffiziente Konnektivit?t für Hochgeschwindigkeits- und drahtlose Ger?te. Unser HF-Portfolio bietet optimierte Leistung, power und Signalintegrit?t für HF-Anwendungen in den Bereichen Verbraucherelektronik, Infrastruktur und Konnektivit?t. Durch kontinuierliche Innovation erweitern wir die Grenzen der HF-Leistung, um die Entwicklung von 5G und die Anforderungen an die KI-gesteuerte Konnektivit?t der n?chsten Generation zu unterstützen.

Führend in Sachen HF-Leistung, power Zuverl?ssigkeit

  • Hoher Wirkungsgrad

    Optimierte Leistung und Signalintegrit?t über den gesamten Frequenzbereich von Sub-6-GHz bis hin zu Millimeterwellen

  • Flexibilit?t bei der Integration

    Von RF-SOI hochintegrierte Frontends über GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) für power bis hin zu hochintegrierten HF-, Analog- und Digitaldesigns mit SiGe

  • Hohe Frequenz & Bandbreite

    HF-Technologien mit für mmWave optimiertem Back-End-of-Line (BEOL) für ausgew?hlte RF-SOI , branchenführende ft/fmax-Werte bei SiGe RF GaN mit gro?er Bandlücke

  • Vielseitigkeit bei der Anwendung

    Von der Stromversorgung hochwertiger Smartphones über Satellitenterminals und Hochgeschwindigkeitsnetzwerke in Rechenzentren bis hin zu modernen Radar- und Sensorsystemen

  • Innovative HF-L?sungen

    Die Grenzen der HF-Leistung erweitern – von RF-SOI (3DI) für eine optimale Fl?cheneffizienz über fortschrittliche SiGe Architekturen bis hin zu neuartigen GaN-Materialien

  • Vielf?ltige Fertigung

    Produktion an mehreren Standorten für RF-SOI SiGe in den USA und Singapur sowie bew?hrte Fertigung von RF GaN unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgew?hlte Technologien

  • RF GaN

    Durch die Nutzung der GaN-on-Silicon-Technologie (GaN-on-Si) machen wir uns die Vorteile der gro?en Bandlücke von GaN zunutze, um leistungsstarke, effiziente HF-L?sungen in kompakteren Bauformen im kommerziellen Ma?stab für power , SATCOM-Systeme und HF-Anwendungen über einen breiten Frequenzbereich bereitzustellen.
    Weitere Informationen: RF GaN

  • RF-SOI

    Unsere bew?hrten RF-SOI mit teilweiser Verarmung sind auf geringe HF-Verluste, hohe Linearit?t für HF-Schalt- und Abstimmvorg?nge sowie hochintegrierte Front-End-F?higkeiten optimiert und erm?glichen so verlustarme, hochintegrierte HF-Front-End-Designs in gro?em Ma?stab.
    Weitere Informationen: RF-SOI

  • SiGe

    Unsere leistungsstarken SiGe bieten die perfekte Balance zwischen Leistung und power . Mit branchenführenden ft/fmax-Werten und integrierten HF-, Analog- und Digitalfunktionen erm?glichen unsere SiGe au?ergew?hnliche Geschwindigkeit, Linearit?t und Signalintegrit?t für drahtlose, optische und Infrastruktur-Anwendungen.
    Weitere Informationen: SiGe

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bew?hrten Partner-?kosystem

Nutzen Sie unser globales Partner-?kosystem mit bew?hrter Expertise in den Bereichen IP, EDA und Design-Dienstleistungen für unsere HF-Prozesstechnologien, um die Entwicklung vom Konzept bis zur Produktion zu beschleunigen.

  • ASIC Nord
  • Falcomm
  • Verisilicon
  • Siemens
  • Kadenz
  • Zusammenfassung
  • EnSilica
  • Innosilicon
  • CoreHW
  • Bew?hrter Semi
  • WeASIC
  • Keysight
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H?ufig gestellte Fragen

Wir bieten ein umfassendes HF-Portfolio, das auf unterschiedliche Anforderungen hinsichtlich Leistung, power Integration zugeschnitten ist, je nachdem, welche Priorit?ten Ihre Anwendung hat.

  • RF-SOI verlustarme, hochlineare und rauscharme HF-Leistung in gro?em Ma?stab für die HF-Schaltung und -Abstimmung in Mobilfunk- und Konnektivit?tsanwendungen.
  • SiGe das perfekte Gleichgewicht zwischen Leistung und power für hochfrequente, schnelle Analog- und Mixed-Signal-Schaltungen.
  • RF GaN eine power und hocheffiziente HF-Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen drahtlose Infrastruktur und Sensorik.

Ja. Wir bieten MPW-Prototyping für alle unsere Technologieplattformen an, darunter RF-SOI, SiGe RF GaN.

Erfahren Sie mehr über unser GlobalShuttle? MPW-Programm und sehen Sie sich die kommenden Fahrpl?ne an.

Unsere HF-Technologien werden durch eine breit gef?cherte, an mehreren Standorten verteilte Produktionspr?senz unterstützt:

  • RF-SOI: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • SiGe: Fertigung an mehreren Standorten in unseren Werken in Malta, Burlington und Singapur
  • RF GaN: Bew?hrte Fertigung in den USA in unserem Werk in Burlington

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