Angesichts der steigenden Nachfrage der Verbraucher nach intelligenten Mobilger?ten der n?chsten Generation und der immer h?heren Anforderungen an die HF- und Akkuleistung kommt es auf jeden Quadratmillimeter Platz auf der Leiterplatte an. Front-End-Module m¨¹ssen mehr Frequenzb?nder, mehr Funktionen und komplexere Schaltarchitekturen unterst¨¹tzen, ohne dabei die Baugr??e zu vergr??ern. Um diesen Integrationsgrad zu erreichen, sind sowohl fortschrittliche HF-Schaltertechnologie als auch innovative Designplattformen erforderlich, die dazu beitragen, die Baufl?che zu reduzieren und gleichzeitig die Leistung und Zuverl?ssigkeit zu gew?hrleisten, die moderne Ger?te erfordern.
Hier bietet unsere SLATE? -Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie einen praktikablen Weg in die Zukunft ¨C sie erm?glicht eine fortschrittliche 3D-Integration (3DI) f¨¹r kompakte, leistungsstarke Mobilfunk-Frontends, indem sie die Layoutfl?che der HF-Schalter deutlich reduziert. Diese erhebliche Fl?chenreduzierung er?ffnet neue M?glichkeiten f¨¹r die Integration, und obwohl der Prozess selbst neuartig ist, machen wir es Ihnen einfach, Ihre bestehenden HF-Designs auf die Plattform zu migrieren.
3DI leicht gemacht: Nahtlose Migration Ihres Entwurfs von 9SW zu 9SW SLATE
Unsere SLATE-Technologie der ersten Generation mit 9SW erm?glicht das Wafer-zu-Wafer-Bonden (W2W) und die homogene 3D-Integration, wodurch zwei 9SW-Wafer miteinander verbunden werden k?nnen, sodass gro?e Feldeffekttransistoren (FETs) vertikal gestapelt werden k?nnen. Diese F?higkeit, gro?e FETs ¨¹ber verbundene Wafer hinweg zu ?falten¡°, ist von grundlegender Bedeutung f¨¹r die Reduzierung der lateralen Fl?che bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der f¨¹r fortschrittliche HF-Frontends erforderlichen elektrischen Leistung. Mit diesem Ansatz k?nnen Entwickler einen herk?mmlichen 2D-9SW-Einpol-Einwurf-Schalter (SPST) nahtlos in eine kompakte 3D-Architektur umwandeln.
All dies l?sst sich innerhalb des PDK mithilfe der branchenweit neuesten EDA-Tools realisieren, wobei HF-Entwickler ihr urspr¨¹ngliches 2D-9SW-Design intuitiv in eine 3D-Architektur migrieren k?nnen ¨C mithilfe eines automatisierten Workflows, der die neue Bauelementstruktur generiert. Dies basiert auf festgelegten Designregeln, die der Entwickler entsprechend seinen individuellen Anforderungen eingibt. Wichtige Parameter ¨C wie die Gesamtbreite und die Stapelkonfiguration ¨C bleiben erhalten, w?hrend die Plattform das Bauelement intelligent in obere und untere Elemente unterteilt und die Anzahl der Finger um bis zu die H?lfte reduziert. Die automatisierte Zuweisung von Einschr?nkungen, die Aufteilung des Schaltplans und die Erstellung einer Layout-Hierarchie stellen sicher, dass das resultierende 3D-Design elektrisch mit dem Original ¨¹bereinstimmt.
Entwickler k?nnen 3D-Pins ausrichten, die Verbindungen verwalten und die Pin-Platzierung mit automatisierten Werkzeugen abschlie?en, die die Genauigkeit gew?hrleisten und den manuellen Aufwand reduzieren. Das Ergebnis ist ein vollst?ndig migriertes und vollst?ndig verifiziertes 3D-HF-Schalterdesign, das erhebliche Fl?chenersparnisse erm?glicht, ohne dass eine komplette Neukonstruktion erforderlich ist.
Wenn Sie mehr dar¨¹ber erfahren m?chten, wie Sie Ihr bestehendes HF-Design mit 9SW von der 9SW- auf die SLATE-Technologie migrieren k?nnen, sehen Sie sich unser Tutorial-Video an, das gemeinsam mit unseren hauseigenen technischen Experten entwickelt wurde.
Schaffung eines sinnvollen und messbaren Mehrwerts f¨¹r Entwickler von HF-Systemen
Die Umstellung auf die SLATE-Technologie mit 9SW bietet Konstrukteuren, die zukunftssichere HF-Frontend-Module entwickeln, klare Vorteile:
- Reduzierung der Gesamtgr??e des Chips um bis zu 45 %, wodurch der Platzbedarf auf der HF-Leiterplatte und die gesamte Designfl?che f¨¹r mobile Anwendungen mit begrenztem Platzangebot verringert werden
- Fortschrittliche 3D-Integration (3DI) durch W2W-Bonding, die die vertikale Stapelung gro?er Feldeffekttransistoren (FETs) erm?glicht
- Homogenes 3DI, das die elektrische Leistung beibeh?lt und gleichzeitig die seitliche Grundfl?che reduziert
- Automatisierte,PDK-basierte Migrationswerkzeuge, die die Entwicklung beschleunigen und die Komplexit?t des Designs verringern
- Serienreife Technologie auf unserer branchenf¨¹hrenden RF-SOI , hergestellt in unserem 300-mm-Werk in Singapur; der Hochlauf der Serienproduktion wird f¨¹r das zweite Halbjahr 2027 erwartet
Diese Vorteile erstrecken sich ¨¹ber HF-Schalter hinaus auch auf andere wichtige Front-End-Komponenten ¨C darunter rauscharme Verst?rker (LNAs) und Antennentuner ¨C, was 9SW SLATE zu einer ¨¹berzeugenden Plattform f¨¹r die n?chste Generation mobiler und Konnektivit?tsl?sungen macht.
Entdecken Sie, welche M?glichkeiten die SLATE-Technologie in Verbindung mit 9SW f¨¹r Ihr n?chstes HF-Design bietet
Wenn Sie die Fl?che Ihrer HF-Schalter reduzieren und die Integrationsdichte erh?hen m?chten, steht Ihnen unser Team gerne zur Seite, um gemeinsam mit Ihnen an Ihrer n?chsten Entwicklung zu arbeiten ¨C mit detaillierten Anleitungen und Referenzabl?ufen.
Wenden Sie sich an Ihren ÌÇÐÄÊÓƵ-Ansprechpartner, um mehr ¨¹ber Kooperationsm?glichkeiten zu erfahren und zu erfahren, wie die SLATE-Technologie in Verbindung mit 9SW Ihre n?chste RF-Innovation beschleunigen kann.
Von: Jignesh Patel, Leitender technischer Mitarbeiter, RF-Design-Enablement
