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FDX? FD-SOI

Unsere branchenführende FDX-Plattform auf Basis von Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI) wurde speziell für intelligente Anwendungen am Netzwerkrand entwickelt und bietet beispiellose Energieeffizienz sowie anpassungsf?hige Leistung, um stets aktive, intelligente Ger?te zu unterstützen.

Mit FDX erzielen Sie einen geringeren Energieverbrauch und eine h?here Integration

Der Bedarf an reaktionsschnellen Echtzeiterlebnissen für die n?chste Generation intelligenter Systeme w?chst stetig. FDX-L?sungen bieten nachweislich kompromisslose Energieeffizienz, anpassungsf?hige Leistung und eine robuste Palette anwendungsoptimierter Erweiterungen für mehr Designfreiheit. So k?nnen Sie L?sungen für Verbraucher- und Industrieanwendungen am Edge und darüber hinaus realisieren.

  • Spitzenleistung im RF-/mmWave-Bereich

    Dank führender Front-End- und Back-End-Funktionen wird eine sichere drahtlose Verbindung über gro?e Entfernungen bei verbesserter power erm?glicht

  • Extrem niedrige Spannung und Leckstrom

    Nutzen Sie die FD-SOI-typischen Vorteile hinsichtlich des Leckstroms durch die Option für den Ultra-Low-Voltage-Betrieb (ULV) sowie Ultra-Low-Leakage-Logik (ULL) und SRAM

  • Adaptive body biasing (ABB)

    Nutzen Sie die architektonischen Vorteile von FD-SOI, um Leistung und Energieeffizienz dynamisch zu optimieren und dabei von einer gr??eren Designflexibilit?t zu profitieren

  • Flexibler Funktionsumfang

    Eine robuste, anwendungsoptimierte Suite von Erweiterungen, einschlie?lich Optionen in Automobilqualit?t, L?sungen mit eingebettetem nichtflüchtigem Speicher (eNVM), flexibler Spannungsunterstützung und KI-Toolkits

  • Zuverl?ssigkeit in der Fertigung

    Lieferung von ICs für die Flaggschiffprodukte globaler Tier-1-Unternehmen, mit Produktion an mehreren Standorten in zertifizierten Werken in Malta, New York und Dresden

  • Advanced packaging

    Unterstützung für die ? advanced packaging “-Integration mit bew?hrtem Wafer-Warpage-Management, prototypentauglichen Through-Silicon-Vias (TSVs) und Bonding-Fabric für die 2,5/3D-Integration

Die Zukunft von FD-SOI für ? Physical AI “: FDX Fusion

FDX Fusion wurde so konzipiert, dass es nach seiner Fertigstellung die weltweit fortschrittlichste FD-SOI-Technologie sein wird, und erweitert unsere FDX-Roadmap um fortschrittliche Funktionen in den Bereichen Digital, HF, Analog, Mixed-Signal, Speicher und Low-Power. Unsere FDX-Fusion-Plattform, die eine digitale Leistung im 7-Nanometer-Bereich, eine mehr als doppelt so hohe Dichte im Vergleich zur FDX-Technologie der ersten Generation sowie eine HF-Leistung von bis zu 0,5 THz ft/fmax bieten soll, wurde speziell für die n?chste Generation von ? Physical AI “-Workloads entwickelt. Kontaktieren Sie uns, um mehr über die geplante Verfügbarkeit zu erfahren.

Weitere Informationen: Die Zukunft von FD-SOI für ? Physical AI “: FDX Fusion

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen

Nutzen Sie unsere FDX-Prozesstechnologie und die st?ndig wachsende Palette an Funktionserweiterungen, um die Speicher-, Spannungs- oder Analogl?sung auszuw?hlen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.

Eine hochwertige, in Fahrzeuge integrierte nichtflüchtige Speicherl?sung (eNVM) der Klasse 1, die sich durch überragende Leistung mit hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie au?ergew?hnliche Zuverl?ssigkeit auszeichnet – mit einer Lebensdauer von über 500.000 Zyklen und einer Datenspeicherdauer von 20 Jahren bei 150 °C.

Kosteneffiziente, BEOL-kompatible Integration, die intern auf der bew?hrten OxRAM-Technologie basiert und sich durch optimierte power, extrem niedrigen power bei Lesevorg?ngen, nachgewiesene Skalierbarkeit (unter 10 ppm), 3D-Integrationsf?higkeit und vollst?ndige St?rfestigkeit gegenüber Umgebungsfeldern auszeichnet.

*im Vergleich zu eFlash

Flexible Spannungsunterstützung (bis zu 25 V), SRAM für anspruchsvolle Display- undpower , digitaler Betrieb bei 0,65 V für geringeren dynamischen power, Gate-First-Prozess mit 20–30 % geringerer Fehlanpassung für geringeren Platzbedarf und power.

Verbesserte Optionen für HF-Bauteile erm?glichen eine verbesserte Rauschzahl, Linearit?t und Effizienz power (PAs) sowie eine in ihrer Klasse führende Leistung im Millimeterwellenbereich.

Hohe Lebensdauer und Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t dank eMRAM

eMRAM ist aufgrund seiner thermischen Belastbarkeit, seiner schnellen Zugriffszeiten, seiner robusten Fehlerkorrektur und seiner langfristigen Zuverl?ssigkeit die am weitesten verbreitete eNVM-L?sung für anspruchsvolle, sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich.

Aufbauend auf mehr als 15 Jahren Erfahrung in der Automobilfertigung nutzt unsere AutoPro150-eMRAM-L?sung die FDX-Prozesstechnologie, um Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t in gro?em Ma?stab zu gew?hrleisten – damit k?nnen Sie Geschwindigkeit, power und Fl?che für Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimieren.

Weitere Informationen: Hohe Lebensdauer und Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t mit eMRAM

糖心视频-Webinarreihe für Unternehmen: Die Entwicklung vom Edge bis zum Physical AI

Dieses Webinar zeigt, wie MIPS und unsere CMOS-Technologien die Entwicklung intelligenter, autonomer und vernetzter Ger?te vorantreiben – von Edge- bis hin zu ? Physical AI “-Anwendungen.

FDX-Anwendungen

Automotive

Unterstützung intelligenter Sensoren, Automobil-Prozessoren und Radar-SoCs, die für den Echtzeitbetrieb ausgelegt sind und anspruchsvolle Anforderungen an Sensorik und Datenverarbeitung mit branchenüblicher Zuverl?ssigkeit erfüllen

Weitere Informationen: Automobilbranche

Consumer- und Industrie-IoT

Bereitstellung von L?sungen für drahtlose Anwendungen, Mikrocontroller (MCUs) und HMI-Komponenten, einschlie?lich DDICs und ISPs, zur Unterstützung des Always-On-Betriebs (AON) und von ? Energieeffizienz “-Designs für vernetzte Ger?te am Netzwerkrand

Weitere Informationen: IoT für Privathaushalte und Industrie

Mobile Endger?te

Unterstützt 5G-mmWave-Frontend-Module, Bildgebungsger?te, DDICs, NFC und Secure Elements und erm?glicht so fortschrittliche, sichere Funktionen in kompakten Verbraucherger?ten

Weitere Informationen: Intelligente Mobilger?te
FDX

H?ufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FDX-Technologie bietet integrierte Speicherl?sungen für MRAM und RRAMund erm?glicht so eine nichtflüchtige Datenspeicherung bei geringem power und schnellem Zugriff und verbesserter Systemeffizienz.

Die Wahl h?ngt von den Priorit?ten Ihrer Anwendung ab. Wenn Ihr Design h?chste Leistung, hohe Lebensdauer und langfristige Zuverl?ssigkeit erfordert, ist MRAM die bevorzugte Option. Für Anwendungen, bei denen eine effiziente Integration in Serienfertigungen im Vordergrund steht, bietet RRAM eine flexible und kostengünstige L?sung.

FDX wurde entwickelt, um Kosteneffizienz auf Systemebene zu erzielen, indem es power geringerem power , eine h?here Integration und eine geringere Designkomplexit?t erm?glicht, was dazu beitragen kann, die Produktionskosten durch kleinere Chipgr??en und vereinfachte Systemarchitekturen auszugleichen.

FDX nutzt standardm??ige CMOS-Entwurfsabl?ufe und erfordert keine speziellen EDA-Tools. Dank unseres robusten IP-?kosystems und der einzigartigen Unterstützung für Body-Biasing erm?glicht FDX eine vereinfachte Einführung, einen optimierten Entwurfsprozess und eine schnellere Markteinführung.

Ja. Wir investieren weiterhin aktiv in unsere branchenführende FDX-Plattform und bauen diese aus, wobei wir kontinuierlich neue Funktionen hinzufügen und das ?kosystem stetig erweitern.

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