Technologien
FDX? FD-SOI
Entwickelt für intelligente L?sungen am Netzwerkrand
Unsere in der Serienfertigung bew?hrte FDX-Prozesstechnologie ist seit 2019 die fortschrittlichste Planartechnologie in der Massenproduktion und bietet führende Vorteile in den Bereichen HF, power, Performance und Fl?che.
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Zugriff auf über 700 qualifizierte IP-Adressen
Umfassende IP-L?sungen für Basis-ICs, Analog-ICs, komplexe I/O-ICs, HF-ICs, eNVM-ICs, ABB-ICs und power
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Das branchenweit erste ?kosystem für Back-Biasing
Das erste und einzige Back-Biasing-?kosystem erm?glicht ABB ohne den Einsatz spezieller EDA-Tools
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3,3-V- und 5-V-Ein- und Ausg?nge (I/Os)
Entwicklung integrierter, kompakter SoCs
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<0.5pA/cell SRAM, <0.4vdd ULP
H?chste Rechenleistung bei power
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Transistoren für Spannungen bis zu 25 V
Flexible Integration von Hochspannungs- und Logikfunktionen auf einem einzigen Chip
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>350 GHz fT und >400 GHz fmax
HF-Transistoren für erstklassige mmWave-SoCs und MMICs, die Konnektivit?t über gro?e Entfernungen und hochaufl?sende Sensorik erm?glichen
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Bis zu 100 % Leistungs- und power
M?glich gemacht durch die adaptive/vorw?rtsgerichtete Karosserieausrichtung von FDX
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Für den Einsatz im Automobilbereich bis 150 °C geeignet
Langlebiger Betrieb und hohe Lebensdauer in anspruchsvollen Umgebungen
Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen
Nutzen Sie unsere FDX-Prozesstechnologie und die st?ndig wachsende Palette an Funktionserweiterungen, um die Speicher-, Spannungs- oder Analogl?sung auszuw?hlen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.
Eine hochwertige, in Fahrzeuge integrierte nichtflüchtige Speicherl?sung (eNVM) der Klasse 1, die sich durch überragende Leistung mit hohen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten sowie au?ergew?hnliche Zuverl?ssigkeit auszeichnet – mit einer Lebensdauer von über 500.000 Zyklen und einer Datenspeicherdauer von 20 Jahren bei 150 °C.
Kosteneffiziente, BEOL-kompatible Integration, die intern auf der bew?hrten OxRAM-Technologie basiert und sich durch optimierte power, extrem niedrigen power bei Lesevorg?ngen, nachgewiesene Skalierbarkeit (unter 10 ppm), 3D-Integrationsf?higkeit und vollst?ndige St?rfestigkeit gegenüber Umgebungsfeldern auszeichnet.
*im Vergleich zu eFlash
Flexible Spannungsunterstützung (bis zu 25 V), SRAM für anspruchsvolle Display- undpower , digitaler Betrieb bei 0,65 V für geringeren dynamischen power, Gate-First-Prozess mit 20–30 % geringerer Fehlanpassung für geringeren Platzbedarf und power.
Verbesserte Optionen für HF-Bauteile erm?glichen eine verbesserte Rauschzahl, Linearit?t und Effizienz power (PAs) sowie eine in ihrer Klasse führende Leistung im Millimeterwellenbereich.
Hohe Lebensdauer und Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t dank eMRAM
eMRAM ist aufgrund seiner thermischen Belastbarkeit, seiner schnellen Zugriffszeiten, seiner robusten Fehlerkorrektur und seiner langfristigen Zuverl?ssigkeit die am weitesten verbreitete eNVM-L?sung für anspruchsvolle, sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich.
Aufbauend auf mehr als 15 Jahren Erfahrung in der Automobilfertigung nutzt unsere AutoPro150-eMRAM-L?sung die FDX-Prozesstechnologie, um Zuverl?ssigkeit in Automobilqualit?t in gro?em Ma?stab zu gew?hrleisten – damit k?nnen Sie Geschwindigkeit, power und Fl?che für Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimieren.
糖心视频-Webinarreihe für Unternehmen: Die Entwicklung von Edge- bis hin zu physikalischer KI vorantreiben
Dieses Webinar zeigt, wie MIPS und unsere CMOS-Technologien die Entwicklung intelligenter, autonomer und vernetzter Ger?te vorantreiben – von Edge- bis hin zu Physical-AI-Anwendungen.
H?ufig gestellte Fragen (FAQ)
Unsere FDX-Technologie bietet integrierte Speicherl?sungen für MRAM und RRAMund erm?glicht so eine nichtflüchtige Datenspeicherung bei geringem power und schnellem Zugriff und verbesserter Systemeffizienz.
Die Wahl h?ngt von den Priorit?ten Ihrer Anwendung ab. Wenn Ihr Design h?chste Leistung, hohe Lebensdauer und langfristige Zuverl?ssigkeit erfordert, ist MRAM die bevorzugte Option. Für Anwendungen, bei denen eine effiziente Integration in Serienfertigungen im Vordergrund steht, bietet RRAM eine flexible und kostengünstige L?sung.
FDX wurde entwickelt, um Kosteneffizienz auf Systemebene zu erzielen, indem es power geringerem power , eine h?here Integration und eine geringere Designkomplexit?t erm?glicht, was dazu beitragen kann, die Produktionskosten durch kleinere Chipgr??en und vereinfachte Systemarchitekturen auszugleichen.
FDX nutzt standardm??ige CMOS-Entwurfsabl?ufe und erfordert keine speziellen EDA-Tools. Dank unseres robusten IP-?kosystems und der einzigartigen 鲍苍迟别谤蝉迟ü迟锄耻苍驳 für Body-Biasing erm?glicht FDX eine vereinfachte Einführung, einen optimierten Entwurfsprozess und eine schnellere Markteinführung.
Ja. Wir investieren weiterhin aktiv in unsere branchenführende FDX-Plattform und bauen diese aus, wobei wir kontinuierlich neue Funktionen hinzufügen und das ?kosystem stetig erweitern.
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