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Technologien

FinFET

Wir nutzen die Vorteile der dreidimensionalen FinFET-Architektur, ihre hohe Transistordichte und Robustheit, um hohe Leistung, Fl?cheneffizienz, geringe Leckstr?me und niedrige Betriebsspannungen bei kompromissloser Energieeffizienz zu erzielen.

Mit FinFET erzielen Sie mehr Leistung und kompromisslose Energieeffizienz

Dank über einem Jahrzehnt Erfahrung in der Massenproduktion haben sich unsere FinFET-Prozesstechnologien in Verbraucher- und Industrieanwendungen bew?hrt. Gestützt auf unsere umfangreichen IP-Bibliotheken für Single-Fin- und Multi-Fin-Strukturen bieten wir die umfassendste FinFET-L?sung auf dem Markt und gew?hrleisten damit power kompromissloses power sowie hohe Leistungsf?higkeit.

  • Für den Einsatz im Automobilbereich geeignet

    L?sungen in Automobilqualit?t und ein umfangreiches Portfolio an für den Automobilbereich geeigneten IPs und Designressourcen

  • Ma?stabsgetreu für HF-Anwendungen konstruiert

    HF-optimierte Merkmale bieten hohe Leistung, power und Platzersparnis

  • Bew?hrte Fertigung in den USA

    Nachgewiesene Gro?serienfertigung in unserem Werk in Malta, New York, vollst?ndige PDKs und ein umfangreiches Angebot an IP-Komponenten, einschlie?lich Single-Fin-Bibliotheken

  • Führend power Sachen power

    Bis zu 20 % geringerer power der Logikkerne power zu Technologien der 22-nm-Klasse, extrem geringe SRAM-Leckstr?me (0,5 pA/Zelle bei HD-Speicherung) und integriertes 3, power

  • Umfassende Verbesserungen

    Es wurden weitere Integrationen hinzugefügt, darunter führende RF-, ULL- und LDMOS-Bauteile für universelle I/Os (GPIOs) mit geringem Leckstrom

  • Advanced packaging

    Einschlie?lich Through-Silicon-Vias (TSVs) zur Unterstützung der 2,5/3D-Integration, Interposer und der ? wafer-to-wafer “-Verbindung (W2W)

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen

Wir bieten Ihnen ma?geschneiderte L?sungen der n?chsten Generation mit anwendungsorientierten Funktionserweiterungen. Ganz gleich, ob Sie eine h?here Ansteuerungsleistung oder power geringeren power ben?tigen – wir erm?glichen es Ihnen, auf unserer FinFET-Prozesstechnologie aufzubauen, um eine L?sung zu entwickeln, die genau auf Ihre Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

Unsere AutoPro 150 FinFET-L?sungen sind für anspruchsvolle Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimiert und bieten eine verbesserte PPA-Leistung (im Vergleich zu branchenüblichen 16-nm-L?sungen für die Automobilindustrie) sowie eine Zertifizierung nach Auto Grade 1 (bis zu 150 °C) für einen zuverl?ssigen, langfristigen Betrieb.

Unsere HF-Optimierung erm?glicht power deutliche power und eine Verkleinerung der Chipfl?che (im Vergleich zu 22-nm-L?sungen), bietet HF-Bauteile für integrierte power (PAs) und sorgt für eine überragende HF- und Analogleistung.

Our ULL enhancement enables longer battery life and lower standby power through advanced UHVT technology and optimized SRAM. Delivering up to 10x lower logic leakage and 30x lower SRAM retention leakage (<0.5 pA/cell), ULL is ideal for power-sensitive and always-on applications. Contact us to explore development opportunities.

Weiterentwicklung der Edge-KI mit Google Coral NPU und 糖心视频 FFX3

Die Umsetzung eines offenen Standards in kommerzielles Silizium erfordert die Zusammenarbeit entlang der gesamten Halbleiter-Wertsch?pfungskette. Google treibt die Entwicklung seiner Open-Source-Coral-NPU mit unserer FFX3 (12LP+)-Technologie voran und erzielt dabei über alle RTL-Iterationen hinweg eine um 70 % schnellere Kern-Timing-Leistung sowie eine Reduzierung der Standardzellenfl?che um bis zu 15 %, wobei zus?tzliche Energiesparfunktionen für die Matrix Execution Unit derzeit evaluiert werden. Lesen Sie den Blogbeitrag von Google, um mehr darüber zu erfahren, wie das Unternehmen seine Open-Source-Coral-NPU in kommerzielles Silizium umsetzt.

FinFET-Anwendungen

Automotive

Entwicklung intelligenter Sensoren, Automobilprozessoren und Radar-SoCs, die Echtzeitverarbeitung, Entscheidungsfindung mit geringer Latenz und Zuverl?ssigkeit auf Industriestandard für Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Architekturen für softwaredefinierte Fahrzeuge (SDV) bieten

Weitere Informationen: Automobilbranche

Consumer- und Industrie-IoT

Unterstützung von drahtlosen SoCs, MCUs und Mensch-Maschine-Schnittstellen (HMI) – einschlie?lich Display-Treiber-ICs (DDIC) und Bildsignalprozessoren (ISP) –, die für geringen power, kompakte Bauformen und intelligente Edge-Verarbeitung optimiert sind

Weitere Informationen: IoT für Privathaushalte und Industrie

Mobile Endger?te

Für den Einsatz in 5G-mmWave-Frontend-Modulen, Bildverarbeitungssubsystemen, Displaytreibern und Sicherheitselementen (NFC/SE), die hohe Leistung, geringe Leckstr?me und eine enge Integration in platzsparende Mobilger?te-Designs erfordern

FinFET

H?ufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FinFET-Prozesstechnologien unterstützen Designs der Kategorie ?Auto Grade 1“ mit einem breiten Spektrum an bew?hrten, speziell auf Automobilanwendungen zugeschnittenen IP-Bl?cken, darunter Logik-, Speicher-, Schnittstellen- und Analog-IP, um sicherheitskritische Anwendungen zu erm?glichen.

Die HF-optimierte Architektur unserer FinFETs bietet hohe Leistung, power und eine Reduzierung der Chipfl?che für HF-Designs und unterstützt damit die modernen drahtlosen Anwendungen von heute.

Unsere FinFET-Prozesstechnologien werden in unserem zertifizierten Werk in Malta, New York, hergestellt und bieten eine sichere und bew?hrte L?sung, die den gesetzlichen Anforderungen der USA entspricht.

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