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Technologien

FinFET

Wir nutzen die Vorteile der dreidimensionalen FinFET-Architektur, die hohe Transistordichte und die Robustheit, um hohe Leistung, Platzersparnis, geringe Leckstr?me und niedrige Betriebsspannungen für power unübertroffene power zu erzielen.

Sch?pfen Sie mit FinFET das volle Leistungspotenzial aus und profitieren Sie von power optimierten power

Dank über einem Jahrzehnt Erfahrung in der Massenproduktion haben sich unsere FinFET-Prozesstechnologien in Verbraucher- und Industrieanwendungen bew?hrt. Gestützt auf unsere umfangreichen IP-Bibliotheken für Single-Fin- und Multi-Fin-Strukturen bieten wir die umfassendste FinFET-L?sung auf dem Markt und gew?hrleisten damit power kompromissloses power sowie hohe Leistungsf?higkeit.

  • Für den Einsatz im Automobilbereich geeignet

    L?sungen in Automobilqualit?t und ein umfangreiches Portfolio an für den Automobilbereich geeigneten IPs und Designressourcen

  • Ma?stabsgetreu für HF-Anwendungen konstruiert

    HF-optimierte Merkmale bieten hohe Leistung, power und Platzersparnis

  • Bew?hrte Fertigung in den USA

    Nachgewiesene Gro?serienfertigung in unserem Werk in Malta, New York, vollst?ndige PDKs und ein umfangreiches Angebot an IP-Komponenten, einschlie?lich Single-Fin-Bibliotheken

  • Führend power Sachen power

    Bis zu 20 % geringerer power der Logikkerne power zu Technologien der 22-nm-Klasse, extrem geringe SRAM-Leckstr?me (0,5 pA/Zelle bei HD-Speicherung) und integriertes 3, power

  • Umfassende Verbesserungen

    Es wurden weitere Integrationen hinzugefügt, darunter führende RF-, ULL- und LDMOS-Bauteile für universelle I/Os (GPIOs) mit geringem Leckstrom

  • Fortschrittliche Verpackungstechniken

    Einschlie?lich Through-Silicon-Vias (TSVs) zur 鲍苍迟别谤蝉迟ü迟锄耻苍驳 der 2,5/3D-Integration, Interposer und Wafer-to-Wafer-Bonding (W2W)

Umfassende, individuell anpassbare Erweiterungen für Ihre Anforderungen

Wir bieten Ihnen ma?geschneiderte L?sungen der n?chsten Generation mit anwendungsorientierten Funktionserweiterungen. Ganz gleich, ob Sie eine h?here Ansteuerungsleistung oder power geringeren power ben?tigen – wir erm?glichen es Ihnen, auf unserer FinFET-Prozesstechnologie aufzubauen, um eine L?sung zu entwickeln, die genau auf Ihre Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

Unsere AutoPro 150 FinFET-L?sungen sind für anspruchsvolle Automobilanwendungen der n?chsten Generation optimiert und bieten eine verbesserte PPA-Leistung (im Vergleich zu branchenüblichen 16-nm-L?sungen für die Automobilindustrie) sowie eine Zertifizierung nach Auto Grade 1 (bis zu 150 °C) für einen zuverl?ssigen, langfristigen Betrieb.

Unsere HF-Optimierung erm?glicht power deutliche power und eine Verkleinerung der Chipfl?che (im Vergleich zu 22-nm-L?sungen), bietet HF-Bauteile für integrierte power (PAs) und sorgt für eine überragende HF- und Analogleistung.

Our ULL enhancement enables longer battery life and lower standby power through advanced UHVT technology and optimized SRAM. Delivering up to 10x lower logic leakage and 30x lower SRAM retention leakage (<0.5 pA/cell), ULL is ideal for power-sensitive and always-on applications. Contact us to explore development opportunities.

FinFET-Anwendungen

Automotive

Entwicklung intelligenter Sensoren, Automobilprozessoren und Radar-SoCs, die Echtzeitverarbeitung, Entscheidungsfindung mit geringer Latenz und Zuverl?ssigkeit auf Industriestandard für Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Architekturen für softwaredefinierte Fahrzeuge (SDV) bieten

Weitere Informationen: Automobilbranche

Rechenzentrum und Kommunikationsinfrastruktur

鲍苍迟别谤蝉迟ü迟锄耻苍驳 der 5G-Mobilfunk- und drahtlosen Infrastruktur durch leistungsstarke Rechenleistung und Konnektivit?t, die Durchsatz, power und Zuverl?ssigkeit in Einklang bringen – für stets verfügbare Netzwerkeins?tze

Weitere Informationen: Rechenzentren und Kommunikationsinfrastruktur

IoT für Privathaushalte und Industrie

鲍苍迟别谤蝉迟ü迟锄耻苍驳 von drahtlosen SoCs, MCUs und Mensch-Maschine-Schnittstellen (HMI) – einschlie?lich Display-Treiber-ICs (DDIC) und Bildsignalprozessoren (ISP) –, die für geringen power, kompakte Bauformen und intelligente Edge-Verarbeitung optimiert sind

Weitere Informationen: IoT für Privathaushalte und Industrie

Intelligente mobile Ger?te

Für den Einsatz in 5G-mmWave-Frontend-Modulen, Bildverarbeitungssubsystemen, Displaytreibern und Sicherheitselementen (NFC/SE), die hohe Leistung, geringe Leckstr?me und eine enge Integration in platzsparende Mobilger?te-Designs erfordern

FinFET

H?ufig gestellte Fragen (FAQ)

Unsere FinFET-Prozesstechnologien unterstützen Designs der Kategorie ?Auto Grade 1“ mit einem breiten Spektrum an bew?hrten, speziell auf Automobilanwendungen zugeschnittenen IP-Bl?cken, darunter Logik-, Speicher-, Schnittstellen- und Analog-IP, um sicherheitskritische Anwendungen zu erm?glichen.

Die HF-optimierte Architektur unserer FinFETs bietet hohe Leistung, power und eine Reduzierung der Chipfl?che für HF-Designs und unterstützt damit die modernen drahtlosen Anwendungen von heute.

Unsere FinFET-Prozesstechnologien werden in unserem zertifizierten Werk in Malta, New York, hergestellt und bieten eine sichere und bew?hrte L?sung, die den gesetzlichen Anforderungen der USA entspricht.

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