Technologien
SiGe
Erzielen Sie erstklassige Leistung zu angemessenen Kosten
Dank jahrzehntelanger Innovationsarbeit erschlie?en wir das volle Potenzial von SiGe und bieten bew?hrte Silizium-Prozesstechnologien, die den Ma?stab für leistungsstarke HF-Designs in den Bereichen Mobilfunk, Optik und Infrastruktur setzen.
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Bis heute wurden über 4 Milliarden Chips ausgeliefert
Nachgewiesene Führungsrolle bei SiGe und -Fertigung, die sich in der Serienproduktion bew?hrt hat
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Fertigung in der von Ihnen ben?tigten Gr??enordnung
In unseren Werken in den USA und Singapur ist die Gro?serienfertigung von 300-mm- und 200-mm-Wafern m?glich
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Bereit für 200 G/λ
Hochleistungsf?hige (HP) Geschwindigkeits- und Technologiefunktionen, die für 200 G/λ ausgelegt sind
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Optimiert hinsichtlich Kosten und Leistung
Modulare Technologien und Funktionen erm?glichen L?sungen für verschiedene M?rkte, die unterschiedliche Anforderungen an Kosten und Leistung abdecken
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SiGe mit ft/fmax > 400 GHz
Branchenführender SiGe mit verbesserter analoger Leistung und Bandbreite für Hochfrequenz-HF- und Millimeterwellen-Anwendungen
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H?here Leistung bei geringerem power
Erm?glicht power geringeren power bei rauscharmen Verst?rkern (LNAs) sowie h?chste Verst?rkung bei optischen TIAs und Treibern
Hochleistungs SiGe
Wir bieten ein breites Portfolio an SiGe mit wettbewerbsf?higen Leistungswerten. Dank unseres modularen Ansatzes k?nnen Sie genau die Kombination aus Leistung, Integration und Kosten w?hlen, die Ihren Anwendungsanforderungen am besten entspricht.
Als branchenweit erste komplement?re Bipolar-Technologie bietet unsere CBIC-Technologie eine hochmoderne Integration von HBTs sowohl vom n-Typ (NPN) als auch vom p-Typ (PNP) mit marktführender Leistung (ft > 400 GHz bzw. über 200 GHz) und erm?glicht so Hochgeschwindigkeits-Analogverst?rker und rauscharme Verst?rker bei geringem power .
Unsere HPS-Technologien – darunter die bew?hrten 8HP/8XP-Technologien sowie die 9HP/HP+-Technologien der neuesten Generation – sind für den Betrieb im Ultrahochfrequenzbereich und rauscharmes Arbeiten optimiert und bieten au?ergew?hnliche Geschwindigkeit, Bandbreite und Signalintegrit?t für anspruchsvolle HF-, Millimeterwellen- und analoge Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Gleichzeitig erm?glichen sie eine dichte HF- und digitale Integration auf einer kostengünstigen Siliziumbasis.
Unsere SiGe wurden für gr??ere Spannungsschwankungen, h?here Zuverl?ssigkeit und gr??ere power entwickelt und erm?glichen Anwendungen, die Leistung, Robustheit und Integration in den M?rkten für drahtlose Infrastruktur und Konnektivit?t in Einklang bringen.
Skalierung der Datenübertragung in Rechenzentren mit SiGe Siliziumphotonik
Unsere Siliziumphotonik- und SiGe erm?glichen optische Verbindungen, die deutlich h?here Datenraten, geringere Latenzzeiten und eine wesentlich bessere Energieeffizienz bieten als Kupfer. Diese Plattformen unterstützen die für KI-Cluster und gro? angelegte Cloud-Implementierungen erforderlichen Verbindungen mit hoher Bandbreite. Durch die Integration von Photonik, HF-Technik und CMOS auf einer einzigen Plattform erm?glichen wir einen schnelleren und effizienteren Datentransfer in modernen Rechenzentrumsarchitekturen.
Aktuelle Nachrichten & Einblicke
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