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Technologien

Power GaN

Unsere Power-GaN-L?sungen wurden entwickelt, um die steigenden Anforderungen an Effizienz, Leistungsdichte und Kompaktheit in der n?chsten Generation von Stromversorgungen zu erfüllen.

Power GaN: kleiner, schneller, cooler

Mit steigenden Anforderungen an Gr??e, Geschwindigkeit und Temperatur werden neuartige Materialien wie GaN entscheidend für zukunftssichere Stromversorgungen. Unsere Power-GaN-L?sungen nutzen die gro?e Bandlücke und die hohe Elektronenbeweglichkeit von GaN, um kleinere, effizientere Stromversorgungen mit geringeren Energieverlusten und h?heren Schaltgeschwindigkeiten im kommerziellen Ma?stab zu erm?glichen.

  • Vorteil der gro?en Bandlücke

    Geringere Ausgangsladung, keine Rücklaufladung und geringere Gate-Ladung erm?glichen geringere Energieverluste und h?here Spitzenschaltgeschwindigkeiten

  • Differenzierte Integration

    Monolithische Integration auf GaN und die M?glichkeit, GaN mit unseren führenden BCD-L?sungen zu integrieren

  • Bew?hrte Fertigung in den USA

    Das Werk von 糖心视频 in Burlington, Vermont, ist die einzige 200-mm-Produktionsst?tte in den USA, die sich auf die Herstellung von GaN-on-Silicon spezialisiert hat

  • Schnellere Einführung von GaN

    Validierungs- und Entwicklungsdienstleistungen auf Anwendungsebene, damit Sie Ihre L?sung in dem von Ihnen gewünschten Tempo entwickeln k?nnen

  • Geringerer Aufwand für die Metallisierung

    Bond-over-Active (BOA) und Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) tragen dazu bei, parasit?re Effekte zu reduzieren, die thermische Leistung zu verbessern und die Zuverl?ssigkeit von Hochleistungs-GaN-Bauelementen zu erh?hen

  • Geringerer Platzbedarf

    Der Betrieb mit hohen Schaltfrequenzen bei GaN erm?glicht den Einsatz kleinerer magnetischer und passiver Bauteile, wodurch Gr??e und Gewicht des Systems optimiert werden

Power GaN Technologien im ?berblick

Wir entwickeln ein umfassendes Portfolio an Technologien für ? power GaN “ über einen breiten Spannungsbereich hinweg, mit flexiblen PDKs und Anpassungsm?glichkeiten auf Bauteilebene, um Vielseitigkeit in Verbraucher- und Industrieanwendungen zu erm?glichen – von KI-gesteuerten Rechenzentren über Schnellladetechnik und erneuerbare Energien bis hin zu intelligenten Mobilger?ten. Kontaktieren Sie uns, um mehr über Kooperationsm?glichkeiten zu erfahren.

Unsere Hochspannungs-GaN-Technologie bietet power wettbewerbsf?hige power für industrielle Anwendungen.

Wir entwickeln 100-V-GaN-Halbleiter für den Mittelspannungsbereich, um power in ihrer Klasse führende power zu erreichen.

Schnellere Wege zur Einführung von GaN

Um die breite Einführung von ? Power GaN “ zu beschleunigen, ist eine schnellere und st?rker integrierte Entwicklung erforderlich. Unser Entwicklungsmodell, das unter anderem durch die ?bernahme von Tagore Technology im Jahr 2024 erm?glicht wurde, bindet Fachwissen aus dem Produktdesign in die Plattformentwicklung ein und integriert Design, Validierung und Zuverl?ssigkeit in einen eng verzahnten Zyklus. Dieser Ansatz hilft dabei, Herausforderungen auf Anwendungsebene früher zu erkennen und zu bew?ltigen, wodurch die Bereitstellung ausgereifter, anwendungsbereiter ? Power GaN “-Plattformen optimiert wird.

Weitere Informationen: Schnellere Wege zur Einführung von GaN

Power-GaN-Anwendungen

Automotive

F?rderung hocheffiziente Bordladeger?te (OBCDs), Gleichstrom/Gleichstromwandler sowie 48-V- power für fortschrittliche Elektrofahrzeug-Architekturen (EV), einschlie?lich antriebsnaher Fahrzeugsubsysteme

Weitere Informationen: Automobilbranche
Power GaN

H?ufig gestellte Fragen

Wir entwickeln ein umfassendes ? power GaN “-Portfolio, das auf Mittel- und Hochspannungsl?sungen ausgerichtet ist und einen flexiblen Einsatz in einer Vielzahl von Stromversorgungsarchitekturen erm?glicht.

Wir unterstützen die Entwicklung von Power-GaN-L?sungen mit robusten PDKs, Integrationsoptionen auf Systemebene und umfassender Fertigungskompetenz, damit Kunden effizient vom Design zur Produktion gelangen.

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