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Technologien

Power

Unser Power-Technologieportfolio reicht von siliziumbasierten Bipolar-CMOS-DMOS-Plattformen (BCD) bis zu Galliumnitrid-Technologien (GaN). Die L?sungen sind auf hohe Leistungsdichte, effiziente Energieumwandlung und flexible Schaltungsintegration ausgelegt. Sie erm?glichen skalierbare Stromversorgungsarchitekturen für Anwendungen von batteriebetriebenen Ger?ten bis hin zu elektrifizierten Industrie- und Fahrzeugsystemen.

Power und Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Zuverl?ssigkeit

  • Zuverl?ssige Leistung und Effizienz

    Hohe power und effiziente Energieumwandlung, mit skalierbarer BCD-Spannungsunterstützung (5 V–150 V) und Deep-Trench-Isolation bis zu 200 V zur Minimierung von Verlusten

  • Innovation durch Integration

    Die Integration von GaN und BCD auf einem einzigen Chip, erg?nzt durch integrierte Speicheroptionen zur Unterstützung kompakter, hocheffizienter power

  • Geringerer Aufwand für die Metallisierung

    Die Bond-over-Active-Kupfers?ulen für BCD und das Kupfer-Back-End-of-Line (BEOL) bei ? power GaN “ reduzieren den Routing-Aufwand und verbessern gleichzeitig die Leistungsdichte und die thermische Leistung.

  • Zuverl?ssigkeit auf Automobilniveau

    Unterstützung mehrerer Qualifizierungsoptionen, darunter ?Auto Grade 0“ (bis zu 175 °C) und ?Auto Grade 1“ (bis zu 150 °C), für zuverl?ssige Leistung in rauen Betriebsumgebungen

  • Modularit?t über Spannungs- und power hinweg

    L?sungen für den Nieder- bis Hochspannungsbereich, die Designfreiheit von einfachen PMICs bis hin zu komplexen power und Motorsteuerungssystemen auf einer einheitlichen Plattform erm?glichen

  • Vielf?ltige Fertigung

    BCD-Fertigung an mehreren Standorten in den USA, Deutschland und Singapur, einschlie?lich bew?hrter GaN-Fertigung in unserem Werk in Burlington, Vermont

Ausgew?hlte Technologien

  • BCD

    Durch die Integration von analogen, digitalen und power bietet unser BCD?Technologien?effiziente Mixed-Signal-L?sungen–Signal power mit skalierbarer niedriger?bis?hohen–Niederspannungs-?, integrierte?passive?und eingebauter Speicher für l?ngere Akkulaufzeit und schnellere?Ladevorg?nge?sowie flexible power .??
    Weitere Informationen: BCD

  • Power GaN

    Nutzung des breiten–Breitbandlücken-Vorteile von Galliumnitrid nutzen, unsere?power?GaN?Technologien?bieten power hohe power und hohe–power irkungsgrad bei geringeren Verlusten und schnellerem Schalten, unterstützt durch flexible PDKs und Integrationsoptionen?optimiert?蹿ü谤?n?chste–Generation?power .??
    Weitere Informationen: Power GaN

Skalieren Sie Ihre Designs mit unserem bew?hrten Partner-?kosystem

Treiben Sie Ihre n?chste Designinnovation voran, indem Sie mit unserem globalen Partnernetzwerk zusammenarbeiten, das für unsere BCD- und ? power GaN “-Technologien zertifiziert ist und genau auf Ihre Design- und Anwendungsanforderungen zugeschnitten ist.

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H?ufig gestellte Fragen

  • Unsere BCD-Technologien werden in unseren Werken in Malta, Dresden und Singapur im 300-mm-Format hergestellt, wobei in Burlington und Singapur zus?tzlich im 200-mm-Format produziert wird.
  • Unsere ? power GaN “-Technologien werden in unserem bew?hrten 200-mm-Werk in Burlington hergestellt.

Unsere BCD-Bauteile erfüllen strenge Automobilstandards (Auto Grade 0 und 1), wobei sowohl BCD als auch GaN nach JEDEC- sowie Rechenzentrums- und Industriestandards* zertifiziert sind.

*Die Zertifizierungen k?nnen je nach Verfahrenstechnik variieren

  • Unsere BCD-Technologien unterstützen einen Betriebsbereich von 5 V bis 150 V, wobei Hochspannungs-BCD-L?sungen eine Deep-Trench-Isolation von bis zu 200 V bieten.
  • Unser sich weiterentwickelndes Portfolio an ? power GaN “-Produkten ist darauf ausgerichtet, Stromumwandlungsl?sungen im Mittel- und Hochspannungsbereich anzubieten, um L?sungen für Stromversorgungsanwendungen im Verbraucher- und Industriebereich bereitzustellen.

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