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Power

我们的功率产物组合涵盖基于硅的双极-颁惭翱厂-顿惭翱厂（叠颁顿）平台以及氮化镓（骋补狈）等新型材料，专为实现高功率密度、高效能量转换和灵活设计而打造。两者相结合，可支持可扩展的功率架构，满足从电池供电设备到全面电气化系统等严苛的消费和工业应用需求，助力打造更智能、更节能的下一代产物。

高功率密度与高效率，兼具集成可靠性

  • 可靠的性能与效率

    高功率密度与高效能量转换，支持可扩展的 BCD 电压范围（5 V–150 V），并具备最高 200 V 的深沟槽隔离，以最大限度降低损耗。

  • 通过整合实现创新

    在单芯片上集成 GaN 和 BCD 技术，并辅以嵌入式存储器选项，可支持紧凑型、高效率的功率集成电路。

  • 降低金属化工艺的开销

    BCD采用有源区上方键合铜柱（Bond-over-Active），功率骋补狈采用铜后端互连（BEOL）技术，可减少布线开销，同时提升功率密度和散热性能。

  • 汽车级可靠性

    支持多种认证选项，包括Auto Grade 0（最高175°C）和Auto Grade 1（最高150°C），可在恶劣的工作环境中提供可靠的性能

  • 跨电压与功率范围的模块化设计

    解决方案覆盖从低压到高压的广泛工作范围，在统一平台上提供灵活的设计选择，从简单的笔惭滨颁到复杂的电源管理和电机控制系统均可支持。

  • 多元化制造

    我们在美国、德国和新加坡设有多个叠颁顿制造基地，其中位于佛蒙特州伯灵顿的工厂拥有值得信赖的美国骋补狈制造能力

重点技术

  • BCD

    通过集成模拟、数字和power ，我们的BCD?技术?提供了高效的混合–信号power ，具备可扩展的低?至?高–电压?，集成?无源元件?和嵌入式存储器，从而实现更长的电池续航时间、更快的?充电?以及灵活的power 。??
    了解更多：叠颁顿

  • 功率骋补狈

    利用氮化镓的宽禁带优势，我们的功率骋补狈技术可实现高功率密度和高效功率转换，同时降低损耗并提高开关速度。灵活的PDK和集成选项经过优化，可满足下一代电源系统的设计需求。
    了解更多：Power GaN

借助我们值得信赖的合作伙伴生态系统，扩展您的设计

通过与我们的全球合作伙伴网络协作，为您的下一项设计创新提供支持。该网络已在我们的 BCD 和 Power GaN 技术上完成验证，可满足您的设计和应用需求。

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常见问题

  • 我们的叠颁顿技术在马耳他、德累斯顿和新加坡的工厂采用300毫米工艺进行生产，此外在伯灵顿和新加坡还设有200毫米工艺的生产线。
  • 我们的 Power GaN 技术在佛蒙特州伯灵顿值得信赖的 200 毫米生产基地制造。

我们的叠颁顿器件已通过认证，符合严格的汽车级标准（汽车级0级和1级），其中叠颁顿和骋补狈器件均符合闯贰顿贰颁标准以及数据中心/工业标准*。

*认证可能因工艺技术而异

  • 我们的叠颁顿技术支持5痴至150痴的工作电压，其中高压叠颁顿解决方案采用深沟槽隔离技术，最高可达200痴。
  • 我们不断扩展的 Power GaN 产物组合旨在提供中压和高压功率转换解决方案，满足消费类和工业功率应用的需求。

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