ÌÇÐÄÊÓƵ

Neue Funktionen und temperaturbest?ndige F?higkeiten erf¨¹llen die wachsenden Anforderungen in der IoT- und Automobilbranche

M?NCHEN, 27. September 2023 ¨C ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) hat heute auf seinem j?hrlichen Technologie-Gipfel in Europa Weiterentwicklungen seiner branchenf¨¹hrenden ^{22FDX?-Plattform} (22 nm FD-SOI) vorgestellt und dabei eine Reihe innovativer Funktionen und Verbesserungen pr?sentiert. Diese Verbesserungen sind eine strategische Antwort auf die wachsende Nachfrage nach besserer power und Spitzenleistung sowohl in IoT- als auch in Automobilanwendungen.

Zu den neuen Funktionen geh?rt power extrem geringem power , der selbst in Umgebungen power h?chsten power einen au?ergew?hnlich sparsamen Betrieb gew?hrleistet. Dar¨¹ber hinaus bietet die 22FDX-Plattform von ÌÇÐÄÊÓƵ fortschrittliche Temperaturbest?ndigkeit, die f¨¹r die Automobilindustrie von entscheidender Bedeutung ist, da sie die langfristige Haltbarkeit, Zuverl?ssigkeit und Sicherheit von Fahrzeugelektroniksystemen gew?hrleistet ¨C insbesondere in den hohen Temperaturen unter der Motorhaube und bei anspruchsvollen Betriebsbedingungen. Die Technologie bietet zudem ein optimiertes Energiemanagement, das power intelligenten power und eine verbesserte Batterielebensdauer in einer Vielzahl von Ger?ten erm?glicht.

In dem rasant wachsenden Netzwerk von IoT-Ger?ten bieten die neuen Funktionen des 22FDX+ mehrere Verbesserungen, darunter Speicher mit 0,5 pA/Zelle und Flops mit extrem geringem Restleckstrom zur Minimierung power Ruhemodus; 0,4-V-Standardzellenbibliotheken und Speicher mit 30 % geringerer power ; sowie eine erweiterte Produktpalette an Bausteinen, die eine um mehr als 20 % verbesserte Rauschleistung, einen um bis zu 70 % h?heren Q-Faktor und geringere Schaltverluste bieten, um power analogen power die Chipfl?che zu reduzieren.

F¨¹r die Automobilindustrie stellte ÌÇÐÄÊÓƵ den 22FDX+ ^AutoPro? 150 vor. Dieses Angebot erweitert die Einsatzm?glichkeiten von 22FDX+ im Automobilbereich auf bis zu 150 ¡ãC ¨C mit f¨¹r extreme Temperaturbereiche optimierten Standardzellenbibliotheken und optimierten SRAM-Compilern, die die Chip-Leistung um 10 % steigern oder power um bis zu 20 % senken k?nnen. Neuartige SRAM-Bitzellen und Compiler, die mit Reverse-Body-Biasing optimiert sind ¨C eine Funktion, die nur in der FDSOI-Technologie m?glich ist ¨C, k?nnen bei einer Sperrschichttemperatur von 150 ¡ãC eine Verringerung der Leckstr?me um bis zu 60 % erzielen.

?ÌÇÐÄÊÓƵ ist f¨¹hrend bei der Bew?ltigung der Herausforderungen power in der IoT- und Automobilindustrie, wo ein power geringer power von entscheidender Bedeutung ist. Mit unserer erstklassigen drahtlosen Konnektivit?t und unseren intelligenten und sicheren Chips treiben wir die Entwicklung intelligenter, vernetzter Ger?te voran, die unter rauen Umgebungsbedingungen mit bester power betrieben werden k?nnen. ÌÇÐÄÊÓƵ ist einzigartig positioniert, um Milliarden vernetzter Ger?te zu einem effizienten Betrieb zu bef?higen, und wir sind stolz darauf, mit Branchenf¨¹hrern wie Nordic Semiconductor zusammenzuarbeiten, um einen kompakten, power und leistungsstarken Chip mit fortschrittlichem Speicher, Multiprotokoll-Funk und erstklassigen Sicherheitsfunktionen anzubieten¡°, sagte Niels Anderskouv, Chief Business Officer bei ÌÇÐÄÊÓƵ.

?Jahrzehntelange Erfahrung im Bereichpower floss in die Entwicklung der nRF54-Serie ein¡°, sagte Svein-Egil Nielsen, CTO und EVP f¨¹r Forschung und Entwicklung bei Nordic Semiconductor. ?Wir freuen uns, diesen Weg gemeinsam mit ÌÇÐÄÊÓƵ zu beschreiten. Unser erster SoC aus der vierten Generation der Bluetooth-LE-L?sungen, der nRF54H20, stellt nicht nur einen bedeutenden Meilenstein f¨¹r Nordic dar, sondern erm?glicht es den Kunden von Nordic auch, Endprodukte zu entwickeln, die weitaus fortschrittlicher und effizienter sind als die, die wir heute sehen. Dieser SoC, das erste Produkt der nRF54-Serie, erweist sich als ideal f¨¹r disruptive IoT-Anwendungen, die hohe power, au?ergew?hnliche Energieeffizienz und modernste Sicherheit erfordern.¡°

?ber GTS

Der ÌÇÐÄÊÓƵ Technology Summit (GTS) 2023 ist die weltweite, j?hrlich stattfindende Veranstaltungsreihe von ÌÇÐÄÊÓƵ mit Schwerpunkt auf Technologie. Der GTS bringt F¨¹hrungskr?fte aus Wirtschaft, Industrie und Forschung zusammen, um die neuesten technologischen Herausforderungen und Chancen zu er?rtern und gemeinsam die innovativsten Anwendungen und L?sungen zu entwickeln.

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ

^{ÌÇÐÄÊÓƵ?} (^{ÌÇÐÄÊÓƵ?}) ist einer der weltweit f¨¹hrenden Halbleiterhersteller. ÌÇÐÄÊÓƵ definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologiel?sungen entwickelt und bereitstellt, die in weit verbreiteten, wachstumsstarken M?rkten Spitzenleistungen bieten. ÌÇÐÄÊÓƵ bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielf?ltigen Belegschaft sowie einer gro? angelegten Produktionspr?senz in den USA, Europa und Asien ist ÌÇÐÄÊÓƵ f¨¹r seine weltweiten Kunden ein zuverl?ssiger Technologiepartner. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.

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