ÌÇÐÄÊÓƵ

Die Technologie-Lizenzvereinbarung wird die Entwicklung der GaN-Technologien der n?chsten Generation von ÌÇÐÄÊÓƵ vorantreiben; die Produkte werden Ende 2026 auf den Markt kommen

MALTA, N.Y., 10. November 2025 ¨C ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) (ÌÇÐÄÊÓƵ) gab heute bekannt, dass es mit TSMC eine Technologie-Lizenzvereinbarung f¨¹r 650-V- und 80-V-Galliumnitrid-Technologie (GaN) geschlossen hat. Dieser strategische Schritt wird die Entwicklung der n?chsten Generation von GaN-Produkten von ÌÇÐÄÊÓƵ f¨¹r Rechenzentren sowie industrielle und automobile power beschleunigen und einer weltweiten Kundschaft GaN-Kapazit?ten in den USA zur Verf¨¹gung stellen.

Da herk?mmliche Silizium-CMOS-Technologien an ihre Leistungsgrenzen sto?en, entwickelt sich GaN zur L?sung der n?chsten Generation, um den steigenden Anforderungen an h?here Effizienz, power und Kompaktheit in power gerecht zu werden. ÌÇÐÄÊÓƵ entwickelt ein umfassendes GaN-Portfolio, darunter leistungsstarke 650-V- und 80-V-Technologien, die f¨¹r den Einsatz in Elektrofahrzeugen, Rechenzentren, Anlagen f¨¹r erneuerbare Energien und Schnellladeelektronik konzipiert sind. Die GaN-L?sungen von ÌÇÐÄÊÓƵ sind f¨¹r raue Umgebungen ausgelegt und verfolgen einen ganzheitlichen Ansatz hinsichtlich der GaN-Zuverl?ssigkeit, der Prozessentwicklung, Ger?teleistung und Anwendungsintegration umfasst.

ÌÇÐÄÊÓƵ wird die lizenzierte GaN-Technologie in seinem Werk in Burlington, Vermont, qualifizieren und dabei das Know-how des Standorts im Bereich der Hochspannungs-GaN-on-Silicon-Technologie nutzen, um die Serienproduktion f¨¹r Kunden zu beschleunigen, power der n?chsten Generation suchen. Die Entwicklung ist f¨¹r Anfang 2026 geplant, die Produktion soll im Laufe des Jahres anlaufen.

?Diese Vereinbarung unterstreicht das Engagement von ÌÇÐÄÊÓƵ f¨¹r Innovation und die strategische Ausrichtung auf differenzierte Technologien, die sich auf wichtige power beziehen, die wir zum Leben, Arbeiten und f¨¹r die Vernetzung nutzen¡°, sagte T¨¦a Williams, Senior Vice President power bei ÌÇÐÄÊÓƵ. ?Mit der Erg?nzung durch diese bew?hrte GaN-Technologie werden wir die Entwicklung unserer GaN-Chips der n?chsten Generation beschleunigen und differenzierte L?sungen liefern, die kritische power f¨¹r gesch?ftskritische Anwendungen schlie?en ¨C vom Rechenzentrum ¨¹ber das Auto bis hin zur Fabrikhalle.¡°

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ

ÌÇÐÄÊÓƵ ist ein f¨¹hrender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsst?rkere Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unseren Produktionsst?tten in den USA, Europa und Asien ist ÌÇÐÄÊÓƵ ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unersch¨¹tterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter .

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