ÌÇÐÄÊÓƵ

In Zusammenarbeit mit der US-Regierung n?hert sich das Halbleiterwerk von ÌÇÐÄÊÓƵ in Vermont weiter der Serienfertigung von Galliumnitrid-Chips der n?chsten Generation f¨¹r den Einsatz in der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigungsindustrie, der Mobilfunkkommunikation, dem industriellen Internet der Dinge und der Automobilindustrie

ESSEX JUNCTION, VT, 18. Oktober 2023 ¡ª ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) (ÌÇÐÄÊÓƵ) hat von der US-Regierung F?rdermittel in H?he von 35 Millionen US-Dollar erhalten, um die Fertigung der einzigartigen Galliumnitrid (GaN)-auf-Silizium-Halbleiter von ÌÇÐÄÊÓƵ in seinem Werk in Essex Junction, Vermont, voranzutreiben. Diese F?rderung bringt ÌÇÐÄÊÓƵ der Gro?serienfertigung von GaN-Chips n?her, die sich durch ihre einzigartige F?higkeit auszeichnen, hohe Spannungen und Temperaturen zu bew?ltigen. Diese Chips sind darauf ausgelegt, bahnbrechende Leistungs- und Effizienzsteigerungen in der 5G- und 6G-Mobilfunkkommunikation f¨¹r Infrastruktur und Endger?te, im automobilen und industriellen Internet der Dinge (IoT) sowie power und anderen kritischen Infrastrukturen zu erm?glichen.

Mit den neuen Mitteln in H?he von 35 Millionen US-Dollar, die vom Trusted Access Program Office (TAPO) des Verteidigungsministeriums vergeben wurden, plant ÌÇÐÄÊÓƵ den Kauf zus?tzlicher Werkzeuge, um die Entwicklungs- und Prototyping-F?higkeiten zu erweitern und der Herstellung von 200-mm-GaN-Halbleitern auf Siliziumbasis n?her zu kommen. Als Teil der Investition plant ÌÇÐÄÊÓƵ die Implementierung neuer F?higkeiten, um die Abh?ngigkeit von Gallium in der Lieferkette f¨¹r ÌÇÐÄÊÓƵ und seine Kunden zu verringern und gleichzeitig die Entwicklungsgeschwindigkeit, die Versorgungssicherheit und die Wettbewerbsf?higkeit von in den USA hergestellten GaN-Chips zu verbessern.

Die Finanzierung baut auf einer jahrelangen Zusammenarbeit mit der US-Regierung auf - einschlie?lich einer ±«²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ in H?he von 40 Millionen US-Dollar von 2020 bis 2022 -, die das Talent des ÌÇÐÄÊÓƵ-Teams in Vermont und seine Erfahrung in der 200-mm-Halbleiterfertigung nutzt und auf die GaN-on-Silicon-Fertigung anwendet. 200 mm ist der Stand der Technik f¨¹r GaN-Chiptechnologie.

"Vermont ist f¨¹hrend in der Halbleiterinnovation. Diese Bundesfinanzierung ist eine willkommene Nachricht und wird die Position unseres Bundesstaates als Vorreiter bei der Herstellung von Chips der n?chsten Generation festigen", sagte Senator Peter Welch. "Es ist wichtig, dass wir Investitionen in diese Industrie hier in Vermont und in den USA unterst¨¹tzen - sowohl f¨¹r unser lokales Wirtschaftswachstum als auch f¨¹r unsere nationale Sicherheit. Ich freue mich darauf, im Senat weiterhin f¨¹r unsere heimischen Halbleiter- und Chip-Hersteller zu k?mpfen."

"Diese strategische Investition st?rkt weiterhin unser heimisches ?kosystem kritischer kommerzieller Technologien mit doppeltem Verwendungszweck und stellt sicher, dass sie f¨¹r die Nutzung durch das Verteidigungsministerium leicht verf¨¹gbar und sicher sind. In Zusammenarbeit mit wichtigen Partnern gestalten wir proaktiv die Zukunft unserer Verteidigungssysteme", sagte Christopher J. Lowman, Assistant Secretary of Defense for Sustainment.

?GaN-on-Silicon ist eine ideale Technologie f¨¹r Hochleistungs-HF-, power und Steuerungsanwendungen in aufstrebenden M?rkten und spielt eine wichtige Rolle f¨¹r die 6G-Mobilfunkkommunikation, das industrielle IoT und Elektrofahrzeuge¡°, sagte Dr. Thomas Caulfield, Pr?sident und CEO von ÌÇÐÄÊÓƵ. ?ÌÇÐÄÊÓƵ unterh?lt eine langj?hrige Partnerschaft mit der US-Regierung, und diese F?rderung ist entscheidend, um GaN-on-Silicon-Chips der Serienproduktion n?her zu bringen. Diese Chips werden es unseren Kunden erm?glichen, mutige neue Designs zu realisieren, die die Grenzen der Energieeffizienz und Leistung kritischer Technologien, auf die wir uns t?glich verlassen, erweitern.¡°

Das Werk von ÌÇÐÄÊÓƵ in Essex Junction, Vermont, in der N?he von Burlington, war eine der ersten grossen Halbleiterproduktionsst?tten in den Vereinigten Staaten. Heute arbeiten dort rund 1 800 Mitarbeitende von ÌÇÐÄÊÓƵ. Die auf der Grundlage der differenzierten Technologien von ÌÇÐÄÊÓƵ hergestellten Chips werden weltweit in Smartphones, Automobilen und Kommunikationsinfrastrukturen eingesetzt. Das Werk ist ein von der DMEA akkreditiertes Trusted Foundry und stellt in Zusammenarbeit mit dem US-Verteidigungsministerium sichere Chips her, die in einigen der sensibelsten Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssysteme der USA zum Einsatz kommen.

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ

ÌÇÐÄÊÓƵ ist einer der weltweit f¨¹hrenden Halbleiterhersteller. ÌÇÐÄÊÓƵ definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologiel?sungen entwickelt und bereitstellt, die eine f¨¹hrende Leistung in allgegenw?rtigen, wachstumsstarken M?rkten bieten. ÌÇÐÄÊÓƵ bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielseitigen Belegschaft und einer Produktionsbasis, die sich ¨¹ber die USA, Europa und Asien erstreckt, ist ÌÇÐÄÊÓƵ eine vertrauensw¨¹rdige Technologiequelle f¨¹r seine weltweiten Kunden. Weitere Informationen finden Sie unter

^{?ÌÇÐÄÊÓƵ}Inc., ÌÇÐÄÊÓƵ, ÌÇÐÄÊÓƵ, die ÌÇÐÄÊÓƵ-Logos und andere ÌÇÐÄÊÓƵ-Zeichen sind Marken von ÌÇÐÄÊÓƵ Inc. oder deren Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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