ÌÇÐÄÊÓƵ

foundry im Bereich neuer Technologien und foundry erweitert die Kapazit?ten in den USA f¨¹r fortschrittliche GaN-Technologie, Entwicklung und Serienfertigung, um eine breite Palette von Anwendungen power zu unterst¨¹tzen

MALTA, N.Y. und TORRANCE, Kalifornien, 20. November 2025 ¨C ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) (ÌÇÐÄÊÓƵ) und Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) gaben heute eine langfristige strategische Partnerschaft bekannt, um die in den USA ans?ssige Galliumnitrid (GaN)-Technologie sowie deren Entwicklung und Fertigung zu st?rken und voranzutreiben. Gemeinsam werden die Unternehmen zusammenarbeiten, fortschrittliche L?sungen f¨¹r kritische Anwendungen in power entwickeln und bereitstellen, die h?chste Effizienz und power erfordern, darunter KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie die Elektrifizierung der Industrie.

Navitas Semiconductor, ein Pionier im Bereich der GaN- und Hochspannungs-SiC-Technologien, hat GaN erfolgreich in Massenm?rkten wie mobilen Schnellladeger?ten, Unterhaltungselektronik, Hochleistungscomputern, Elektrofahrzeugen, Energiespeichern und Industrieger?ten etabliert und arbeitet daran, die Einf¨¹hrung von GaN in power voranzutreiben. ÌÇÐÄÊÓƵ bringt jahrzehntelange Erfahrung als vertrauensw¨¹rdiger globaler foundry mit und gew?hrleistet eine zuverl?ssige, qualitativ hochwertige Produktion in gro?em Ma?stab. Im Rahmen dieser langfristigen Partnerschaft werden ÌÇÐÄÊÓƵ und Navitas Semiconductor GaN-Technologie der n?chsten Generation am ÌÇÐÄÊÓƵ-Standort in Burlington, Vermont, herstellen und dabei das Know-how des Standorts in der Hochspannungs-GaN-on-Silicon-Technologie sowie die langj?hrige Erfahrung von Navitas Semiconductor im Bereich GaN-Technologie und -Bauelemente nutzen. Die Entwicklung soll Anfang 2026 beginnen, die Produktion wird voraussichtlich im Laufe des Jahres anlaufen.

Durch die Kombination der erstklassigen Fertigungskapazit?ten von ÌÇÐÄÊÓƵ und der f¨¹hrenden Rolle von Navitas im Bereich der GaN-Innovation wird diese strategische Partnerschaft den Kunden die fortschrittlichsten, sichersten und skalierbarsten GaN-L?sungen bieten. Gemeinsam werden die Unternehmen es ihren Kunden erm?glichen, einen amerikanischen Weg f¨¹r GaN zu finden, der die nationale Sicherheit und Wettbewerbsf?higkeit unterst¨¹tzt und gleichzeitig die Dekarbonisierung der n?chsten Generation von Energie- und Rechenplattformen vorantreibt.

?GaN ver?ndert die Art und Weise, wie die Welt power nutzt. Und diese Partnerschaft stellt einen bedeutenden Schritt nach vorn f¨¹r die F¨¹hrungsrolle der USA im Halbleiterbereich und den Einsatz von GaN-Technologie in wichtigen Anwendungsbereichen dar¡°, sagte Tim Breen, CEO von ÌÇÐÄÊÓƵ. ?Durch die Zusammenarbeit mit Navitas schaffen wir eine sichere und nachhaltige Lieferkette f¨¹r GaN-Technologien, die power Zukunft von KI, Energie und industrieller Innovation power .¡°

?Die Einf¨¹hrung von GaN schreitet in M?rkten power wie KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastrukturen sowie der industriellen Elektrifizierung z¨¹gig voran. Unsere Zusammenarbeit und Partnerschaft mit ÌÇÐÄÊÓƵ stellt sicher, dass Navitas die von unseren Kunden geforderte Leistung, Effizienz und Skalierbarkeit liefern und diese L?sungen f¨¹r kritische Anwendungen sowie Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit in den Vereinigten Staaten herstellen kann¡°, sagte Chris Allexandre, Pr?sident und CEO von Navitas. ?Gemeinsam schaffen wir die Grundlage f¨¹r Anwendungen der n?chsten Generation, die f¨¹r die nationale Wettbewerbsf?higkeit und die Nachhaltigkeit im Energiebereich von entscheidender Bedeutung sind. Unsere Partnerschaft mit ÌÇÐÄÊÓƵ ist ein weiterer Meilenstein und ein Schritt nach vorne f¨¹r Navitas 2.0.¡°

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ

ÌÇÐÄÊÓƵ ist ein f¨¹hrender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsst?rkere Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unseren Produktionsst?tten in den USA, Europa und Asien ist ÌÇÐÄÊÓƵ ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unersch¨¹tterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.

?ber Navitas

Navitas Semiconductor ist ein f¨¹hrender Anbieter power der n?chsten Generation in den Bereichen Galliumnitrid (GaN) und integrierte Schaltkreise sowie Hochspannungs-Siliziumkarbid (SiC)-Technologie und treibt Innovationen in den Bereichen KI-Rechenzentren, Hochleistungsrechner, Energie- und Netzinfrastruktur sowie industrielle Elektrifizierung voran. Mit mehr als 30 Jahren kombinierter Expertise in Wide-Bandgap-Technologien integrieren power power, Ansteuerung, Steuerung, Sensorik und Schutz und bieten so power schnellere power , h?here Systemdichte und gr??ere Effizienz. ^GeneSiC? -Hochspannungs-SiC-Bauteile nutzen die patentierte Trench-Assisted-Planar-Technologie, um branchenf¨¹hrende Spannungsf?higkeit, Effizienz und Zuverl?ssigkeit f¨¹r Anwendungen in der Mittelspannungs-Netzinfrastruktur zu bieten. Navitas verf¨¹gt ¨¹ber mehr als 300 erteilte oder angemeldete Patente und ist das weltweit erste Halbleiterunternehmen, das ^{CarbonNeutral?-zertifiziert} ist.

Zukunftsorientierte Informationen

Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten nur zum Zeitpunkt der Ver?ffentlichung dieser Pressemitteilung. Weder ÌÇÐÄÊÓƵ noch Navitas Semiconductor sind verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umst?nde nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tats?chlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist.

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Stephanie Gonzalez

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Navitas Halbleiter

Vipin Bothra

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