ÌÇÐÄÊÓƵ

Die ?bernahme des Technologieportfolios erweitert die power von ÌÇÐÄÊÓƵ und st?rkt die differenzierte Roadmap

MALTA, N.Y., 1. Juli 2024 ¨C ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) (ÌÇÐÄÊÓƵ) gab heute bekannt, dass es das propriet?re und produktionserprobte Power (GaN)-IP-Portfolio von Tagore Technology erworben hat, eine L?sungpower , die darauf ausgelegt ist, die Grenzen von Effizienz und Leistung in einer Vielzahl von power in den Bereichen Automobil, Internet der Dinge (IoT) und Rechenzentren f¨¹r k¨¹nstliche Intelligenz (KI) zu erweitern. Da sich die digitale Welt mit Technologien wie generativer KI weiterentwickelt, sticht GaN als zentrale L?sung f¨¹r power nachhaltiges und effizientes power hervor, insbesondere in Rechenzentren.

Die heutige Ank¨¹ndigung unterstreicht das Engagement von ÌÇÐÄÊÓƵ f¨¹r die Serienfertigung von GaN-Technologie, die eine Reihe von Vorteilen bietet, mit denen Rechenzentren den steigenden power decken und gleichzeitig power aufrechterhalten oder verbessern, Kosten senken und die W?rmeentwicklung bew?ltigen k?nnen. Die ?bernahme erweitert das power von ÌÇÐÄÊÓƵ und verbessert den Zugang zu marktf¨¹hrendem GaN-IP, wodurch ÌÇÐÄÊÓƵ-Kunden in die Lage versetzt werden, differenzierte Produkte schnell auf den Markt zu bringen. Im Rahmen der ?bernahme wird ein Team erfahrener Ingenieure von Tagore, das sich der Entwicklung von GaN-Technologie widmet, zu ÌÇÐÄÊÓƵ wechseln.

?Wir sind entschlossen, heute und in den kommenden Jahrzehnten die Grundlage f¨¹r power unserer Kunden zu bilden¡°, sagte Niels Anderskouv, Chief Business Officer bei ÌÇÐÄÊÓƵ. ?Mit dieser ?bernahme unternimmt ÌÇÐÄÊÓƵ einen weiteren Schritt, um die Verf¨¹gbarkeit von GaN zu beschleunigen und unsere Kunden in die Lage zu versetzen, die n?chste Generation von power zu entwickeln, die die Zukunft von Mobilit?t, Konnektivit?t und Intelligenz neu gestalten werden.¡°

?Die Nachfrage nach power Halbleitern steigt rasant an, und Tagore ist seit jeher f¨¹hrend bei der Entwicklung bahnbrechender L?sungen auf Basis der GaN-Technologie f¨¹r eine breite Palette von power , sagte Amitava Das, Mitbegr¨¹nder und Chief Operating Officer von Tagore Technology. ?Das Team und ich freuen uns darauf, Teil von ÌÇÐÄÊÓƵ zu werden, um unseren Fokus auf marktf¨¹hrende IP zu verst?rken, die dazu beitragen wird, Herausforderungen power zu bew?ltigen und die kontinuierliche Weiterentwicklung von power die Automobilindustrie, die Industrie und KI-Rechenzentren zu unterst¨¹tzen.¡°

Im Februar 2024 erhielt ÌÇÐÄÊÓƵ im Rahmen des U.S. CHIPS and Science Act direkte F?rdermittel in H?he von 1,5 Mrd. USD. Ein Teil dieser Investition zielt darauf ab, die Gro?serienfertigung kritischer Technologien wie GaN zu erm?glichen, um mehr wichtige Chips sicher zu produzieren.

Durch die Kombination dieser Fertigungskapazit?ten mit dem technischen Know-how des Tagore-Teams ist ÌÇÐÄÊÓƵ bestens ger¨¹stet, die Effizienz von KI-Systemen zu revolutionieren, insbesondere bei Edge- oder IoT-Ger?ten, bei denen power geringer power von entscheidender Bedeutung ist.

?ÌÇÐÄÊÓƵ steht an der Spitze des technologischen Fortschritts. Mit dem Beitritt von Tagore Technology zum ÌÇÐÄÊÓƵ-Team in Indien werden wir unsere technologischen Kompetenzen weiter ausbauen, insbesondere in aufstrebenden Bereichen wie GaN¡°, sagte Jitendra Chaddah, Vizepr?sident und Landesleiter f¨¹r Indien bei ÌÇÐÄÊÓƵ. ?Ich hei?e das Tagore-Team bei ÌÇÐÄÊÓƵ herzlich willkommen und freue mich auf die Zusammenarbeit, w?hrend wir gemeinsam weiter wachsen und unsere technischen Kompetenzen st?rken.¡°

?ber Tagore Technology Inc.
Tagore Technology wurde im Januar 2011 gegr¨¹ndet, um Pionierarbeit bei der Galliumnitrid-auf-Silizium-Halbleitertechnologie (GaN-on-Si) f¨¹r Hochfrequenz- (RF) und power zu leisten. Wir sind ein Fabless-Halbleiterunternehmen mit Designzentren in Arlington Heights, Illinois, USA, und Kalkutta, Indien. Unser F&E-Team widmet sich der Entwicklung disruptiver L?sungen unter Nutzung von Wide-Bandgap-Technologien, die dazu beitragen, die Herausforderungen unserer Kunden power HF- und power zu bew?ltigen und die Markteinf¨¹hrungszeit f¨¹r eine breite Palette von Anwendungen zu verk¨¹rzen. Weitere Informationen finden Sie unter .

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ
ÌÇÐÄÊÓƵ ist einer der weltweit f¨¹hrenden Halbleiterhersteller. ÌÇÐÄÊÓƵ definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem das Unternehmen funktionsreiche Prozesstechnologiel?sungen entwickelt und bereitstellt, die in weit verbreiteten, wachstumsstarken M?rkten f¨¹hrende Leistung bieten. ÌÇÐÄÊÓƵ bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielf?ltigen Belegschaft sowie einer gro? angelegten Produktionspr?senz in den USA, Europa und Asien ist ÌÇÐÄÊÓƵ f¨¹r seine weltweiten Kunden ein zuverl?ssiger Technologiepartner. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com.

^{?ÌÇÐÄÊÓƵ}Inc., ÌÇÐÄÊÓƵ, ÌÇÐÄÊÓƵ, die ÌÇÐÄÊÓƵ-Logos und andere ÌÇÐÄÊÓƵ-Marken sind Marken von ÌÇÐÄÊÓƵ Inc. oder deren Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Unsicherheiten behaftet sind. Die Leser werden darauf hingewiesen, sich nicht ¨¹berm??ig auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen gelten ausschlie?lich zum Zeitpunkt ihrer Ver?ffentlichung. ÌÇÐÄÊÓƵ ¨¹bernimmt keine Verpflichtung, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um Ereignisse oder Umst?nde nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder tats?chliche Ergebnisse widerzuspiegeln, es sei denn, dies ist gesetzlich vorgeschrieben.

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