ÌÇÐÄÊÓƵ

Am 11. November gab ÌÇÐÄÊÓƵ eine neue Partnerschaft mit der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) im Bereich der Galliumnitrid-Technologie bekannt, die power n?chste Generation von Produkten f¨¹r power Rechenzentren, der Industrie und der Automobilbranche power . Wir haben uns mit T¨¦a Williams, Senior Vice President des Power bei ÌÇÐÄÊÓƵ, zusammengesetzt, um ¨¹ber diese Technologievereinbarung zu sprechen, dar¨¹ber, warum ÌÇÐÄÊÓƵ verst?rkt auf GaN setzt, und dar¨¹ber, was Kunden als N?chstes erwarten k?nnen.

Wie sieht die Technologievereinbarung zwischen ÌÇÐÄÊÓƵ und TSMC aus, und warum ist sie von Bedeutung?

ÌÇÐÄÊÓƵ hat mit TSMC einen Technologie-Lizenzvertrag ¨¹ber 650-V- und power geschlossen. Konkret erm?glicht uns dies, die Entwicklung und Markteinf¨¹hrung von GaN-Produkten der n?chsten Generation sowohl f¨¹r industrielle Anwendungen wie Rechenzentren als auch f¨¹r Verbraucheranwendungen wie Automobiltechnik und Smart Mobile zu beschleunigen.

F¨¹r uns ist diese Partnerschaft ein strategischer Schritt, der das bew?hrte Prozess-IP von TSMC mit den GaN-Angeboten und der Fertigungskapazit?t von ÌÇÐÄÊÓƵ verbindet. Diese Vereinbarung wird nicht nur die Entwicklung unserer GaN-Chips der n?chsten Generation vorantreiben, um power f¨¹r unternehmenskritische Anwendungen zu decken, sondern auch GaN-Kapazit?ten in den USA f¨¹r unseren globalen Kundenstamm bereitstellen.

Warum ist GaN gerade jetzt so wichtig?

Herk?mmliche Silizium-CMOS-Technologie st??t bei power hocheffizienten power an ihre Leistungsgrenzen. GaN bietet einen h?heren Wirkungsgrad, power gr??ere power und kompaktere Systeme. Genau das ist gefragt f¨¹r Hyperscale-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, Anlagen f¨¹r erneuerbare Energien und Schnellladeelektronik. GaN erm?glicht es unseren Kunden, mit weniger Energie und weniger Platz mehr zu erreichen.

Was ist der Grund f¨¹r die steigenden Investitionen von ÌÇÐÄÊÓƵ in GaN?

Wir setzen aus drei wesentlichen Gr¨¹nden verst?rkt auf GaN. Erstens ist die Marktnachfrage unbestreitbar. Wir beobachten einen explosionsartigen Anstieg der Nachfrage nach effizienter power ¨C von Elektrofahrzeugen ¨¹ber KI-Rechenzentren bis hin zur Modernisierung power .

Zweitens ist GaN einfach die richtige Technologie f¨¹r diese Aufgabe. Seine Leistungsmerkmale treffen genau den Sweet Spot f¨¹r einige der anspruchsvollsten Systemanforderungen, darunter hohe Spannungen, hohe Frequenzen und thermische Robustheit.

Endlich k?nnen wir etwas Einzigartiges auf den Markt bringen. Wir verbinden differenzierte GaN-Technologie mit einem ganzheitlichen Ansatz f¨¹r Zuverl?ssigkeit ¨C von der Prozessentwicklung ¨¹ber die Ger?teleistung bis hin zur Anwendungsintegration. Das bedeutet, dass wir L?sungen liefern, die f¨¹r den Einsatz in rauen Umgebungen ausgelegt sind und langfristig Bestand haben.

Inwiefern profitieren die Kunden von dieser Vereinbarung?

Indem wir unseren Kunden Zugang zu bew?hrten GaN-Komponenten bieten, beschleunigen wir sowohl unsere eigene Roadmap als auch die Entwicklungszyklen unserer Kunden, sodass diese ihre Produkte schneller auf den Markt bringen k?nnen.

Da wir fortschrittliche GaN-Fertigung mit Produktionskapazit?ten in den USA anbieten, um globale Projekte zu bedienen, bauen wir unsere inl?ndischen Fertigungskapazit?ten weiter aus. Dies bedeutet f¨¹r unsere Kunden eine gr??ere geografische Diversifizierung und eine h?here Widerstandsf?higkeit der Lieferkette.

Werden nur Kunden in den USA davon profitieren?

Dies wird unseren Kunden weltweit zugutekommen. Wir stehen im Gespr?ch mit zahlreichen US-amerikanischen und multinationalen Kunden, die sehr daran interessiert sind, mit uns zusammenzuarbeiten, w?hrend wir GaN f¨¹r die Serienproduktion vorbereiten.

Wenn wir ¨¹ber den Ausbau von GaN sprechen, m?chte ich auch unser Power in Kalkutta, Indien (ehemals Tagore-Team), erw?hnen, das ein wesentlicher Bestandteil unserer GaN-Strategie ist. Dieses Zentrum arbeitet eng mit dem ÌÇÐÄÊÓƵ-Standort in Burlington zusammen. Ich freue mich darauf, auf den sich erg?nzenden Kompetenzen dieser Standorte aufzubauen, um die Forschung, Entwicklung und F¨¹hrungsrolle von ÌÇÐÄÊÓƵ bei der Herstellung von GaN-Chips auf globaler Ebene weiter voranzutreiben.

Warum wird die GaN-Technologie in Burlington, Vermont, qualifiziert und produziert?

Burlington, Vermont, ist ein Innovationszentrum f¨¹r GaN. Unser Standort verf¨¹gt ¨¹ber fundiertes Fachwissen im Bereich Hochspannungs-GaN-on-Silicon und ist darauf ausgerichtet, die Serienproduktion f¨¹r Kunden zu skalieren, die power der n?chsten Generation mit h?chsten Qualit?ts- und Zuverl?ssigkeitsstandards ben?tigen.

Wir freuen uns darauf, weiterhin in diese Bem¨¹hungen zu investieren und Burlington zu einem leuchtenden Beispiel f¨¹r ein Kompetenzzentrum f¨¹r 200-mm-GaN zu machen.

Inwiefern tr?gt dies zur F¨¹hrungsrolle der USA im Halbleiterbereich bei, und ist dies auf die Handelspolitik und Z?lle zur¨¹ckzuf¨¹hren?

Bei dieser Vereinbarung geht es darum, die Markteinf¨¹hrungszeit zu verk¨¹rzen und hier in den USA eine widerstandsf?hige, ausgewogene Produktionspr?senz aufzubauen. Indem wir fortschrittliche GaN-Technologien auf US-amerikanischem Boden qualifizieren, st?rken wir die heimische Versorgung mit wichtigen power und bedienen gleichzeitig globale M?rkte. Ungeachtet der sich st?ndig ?ndernden Z?lle und Handelspolitik zielt dieser Schritt darauf ab, Kunden zu unterst¨¹tzen, die nationale Wettbewerbsf?higkeit zu st?rken und das gesamte Halbleiter-?kosystem auszubauen.

Was erwartet die Kunden als N?chstes?

F¨¹r alle Kunden, die f¨¹r die Jahre 2026¨C2027 Produkteinf¨¹hrungen in den Bereichen Rechenzentren, Industrie oder Automobil planen, ist jetzt der richtige Zeitpunkt, sich zu beteiligen. Das Power arbeitet eng mit dem Vertrieb und der Fertigung zusammen, um eine geordnete Markteinf¨¹hrung bei Top-Kunden zu planen und gleichzeitig die Kapazit?ten auszubauen, um den Markt so umfassend wie m?glich zu bedienen.

Hast du noch ein paar abschlie?ende Gedanken, T¨¦a?

Es gab noch nie einen besseren Zeitpunkt, um im Bereich Power t?tig zu sein! Ich bin wirklich begeistert von dem, was wir hier bei ÌÇÐÄÊÓƵ mit GaN, BCD und integrierter Magnettechnik aufbauen. Jede dieser Prozesss?ulen bietet f¨¹r sich genommen bereits hervorragende Chancen, doch wenn diese St?rken geb¨¹ndelt werden, erm?glichen sie eine echte Differenzierung beim Design power .

Wir leben in einer Welt, in der der Energieverbrauch von Tag zu Tag an Bedeutung gewinnt: von Smartphones bis hin zu riesigen Rechenzentren. Mit unserer Innovationskraft und unserem Einfallsreichtum bei der Entwicklung nachhaltigerer und umweltfreundlicherer power gestaltet ÌÇÐÄÊÓƵ schon heute eine bessere Zukunft.

?ber den Autor

T¨¦a Williams ist Senior Vice President Power bei ÌÇÐÄÊÓƵ, eine Position, in die sie 2023 berufen wurde. Sie verf¨¹gt ¨¹ber mehr als 20 Jahre umfassende Erfahrung in den Bereichen strategische Gesch?ftsentwicklung, Produktentwicklung und Betriebsmanagement in der Halbleiterindustrie.

Bevor sie zu ÌÇÐÄÊÓƵ kam, war sie als Senior Vice President des Gesch?ftsbereichs 3D-Sensorik bei Lumentum t?tig und arbeitete 17 Jahre lang bei Texas Instruments in verschiedenen Funktionen in den Bereichen Unternehmensf¨¹hrung, Standortleitung und Technik.

Sie hat sowohl einen Bachelor of Science als auch einen Master of Science in Elektrotechnik von der University of Arkansas sowie eine Weiterbildung f¨¹r F¨¹hrungskr?fte am INSEAD und an der Harvard Business School absolviert.