ÌÇÐÄÊÓƵ

Der weltweite Datenverbrauch steigt, zum Teil aufgrund der Einf¨¹hrung generativer KI. Der j¨¹ngste Ericsson-Mobility-Bericht prognostiziert, dass der weltweite mobile Datenverkehr bis 2030 um das 2,3-fache auf 280 ExaBytes (¹⁰¹⁸ Bytes) pro Monat ansteigen wird. Um dieses Wachstum zu bew?ltigen, m¨¹ssen sich Mobilfunkbetreiber, Telefonhersteller und Standardisierungsgremien auf die Erweiterung der Bandbreite, die Kombination mehrerer Datenstr?me pro Kanal und die Verbesserung der Datenkompression pro Symbol konzentrieren.

Diese Strategien wurden w?hrend der gesamten Entwicklung der Mobilfunkstandards umgesetzt und werden voraussichtlich auch im Zuge des technologischen Fortschritts in Richtung 6G fortgesetzt. Mit 5G wurden beispielsweise zus?tzliche Frequenzb?nder in den Bereichen 3-6 GHz und Millimeterwellen eingef¨¹hrt, die Implementierung von MIMO-Spatial-Multiplexing verbessert, fortschrittliche Beam-Steering-Techniken integriert und anspruchsvollere Modulationsverfahren erm?glicht. Dar¨¹ber hinaus erh?ht 5G die Nutzung von Carrier Aggregation, wodurch sowohl zusammenh?ngende als auch nicht zusammenh?ngende Bandbreiten von einzelnen oder mehreren B?ndern - einschlie?lich der dualen Konnektivit?t mit 4G-LTE-B?ndern - f¨¹r einen h?heren Datendurchsatz kombiniert werden k?nnen.

Dieser Ansatz in Verbindung mit der dem Standard innewohnenden Flexibilit?t und Skalierbarkeit in Bezug auf Numerologie und Wellenformen (z. B. skalierbarer Untertr?gerabstand, Schlitzdauer und ?bertragungsbandbreiten) erm?glicht die Verbesserungen der spektralen Effizienz, die erforderlich sind, um die wachsenden Datenanforderungen zu erf¨¹llen.

Die Bereitstellung all dieser Funktionen stellt betr?chtliche Anforderungen an die RF-Frontends, die mit dem Voranschreiten der Entwicklung in Richtung 6G voraussichtlich noch steigen werden. Zu diesen Anforderungen geh?ren:

• Die ±«²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ zus?tzlicher Frequenzb?nder erfordert mehr Inhalt in Filtern und HF-Komponenten, was die Miniaturisierung und Integration zunehmend erschwert, w?hrend der Formfaktor und die Gr??e des Ger?ts unver?ndert bleiben.

• Mehr B?nder, die n?her beieinander liegen, verringern die St?rungstoleranz und erfordern verbesserte Filter und Komponenten mit h?herer Linearit?t, die sowohl im Sender als auch im Empf?nger weniger Oberwellen erzeugen.

• Neue B?nder, flexible Numerologie und mehr Bandkombinationen f¨¹r die Tr?gerb¨¹ndelung f¨¹hren zu mehr Schaltern f¨¹r die Bandauswahl, Antennenauswahl und Antennenabstimmung.

Die RFSOI-Technologien von ÌÇÐÄÊÓƵ sind f¨¹hrend bei der Bew?ltigung dieser Herausforderungen f¨¹r Mobilfunk-Schalter und rauscharme Verst?rker. Im Jahr 2024 haben wir 9SW eingef¨¹hrt, unsere RFSOI-Plattform der^vierten Generation. Aufbauend auf der Vorg?ngertechnologie 8SW RFSOI bietet 9SW erhebliche Verbesserungen hinsichtlich Leistung, Integration und Platzersparnis f¨¹r Front-End-Module. 9SW basiert auf einer 90-nm-Back-End-of-Line-Lithografie und bietet erhebliche M?glichkeiten zur Verkleinerung digitaler Schaltungen und Schalter. Es bietet ein verbessertes Ron*Coff-Verh?ltnis und power h?here power . Neben Schalt- und rauscharmen Verst?rkerbauelementen umfasst die Plattform eine vollst?ndige Palette an Logik- und Analog-FETs, Schaltungs-IP, eine gro?e Auswahl an Kondensator- und Widerstandsoptionen sowie umfassende RF-Design-F?higkeiten. Schlie?lich umfasst sie vier Metallstapeloptionen mit drei bis f¨¹nf Ebenen der Metallverdrahtung, einschlie?lich ultradicker Metallschichten, die hochwertige Induktivit?ten und verlustarme ?bertragungsleitungen erm?glichen.

Zus?tzlich zu unserem Kernangebot aktualisieren wir die 9SW-Plattform kontinuierlich mit neuen Funktionen, die die Leistung verbessern sollen. Im August haben wir zus?tzliche Funktionen eingef¨¹hrt, die eine Verdichtung des analogen Schaltungsbereichs, Schaltelemente mit geringem Leckstrom sowie neue passive Bauelemente erm?glichen. Dar¨¹ber hinaus planen wir j?hrlich die Ver?ffentlichung neuer Funktionen, um power , den Ron*Coff-Wert und die Leistung der rauscharmen Verst?rker weiter zu verbessern.

Die ±«²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ von mehr Frequenzb?ndern, die mit dem ?bergang zu 6G noch zunehmen wird, erh?ht den Bedarf an Miniaturisierung und Integration in einem Smartphone. Um dies zu erreichen, f¨¹hren wir die ^{9SW-SlateTM-Technologie} ein.

Unsere ^9SW-SlateTM -Technologie nutzt zwei miteinander verbundene 9SW-Wafer, um die Chipgr??e zu verringern, ohne die Leistung zu beeintr?chtigen. Mit diesem Ansatz falten wir gro?e Schalter-FETs in High-Stack-Konfigurationen und reduzieren so die Gesamtfl?che des Chips um bis zu 45 %, w?hrend die Schalterleistung erhalten bleibt.

Neben der Freigabe der Technologie und der Demonstration ihrer Leistungsf?higkeit anhand von Referenzdesigns entwickeln wir Design Enablement Tools, die Designern helfen, zweidimensionale Schaltungen auf drei Dimensionen zu migrieren, das Prototyping zu beschleunigen und Designzyklen zu verk¨¹rzen.

Wenn Sie mehr ¨¹ber 9SW und die ¨¹brigen RF-L?sungen von ÌÇÐÄÊÓƵ in den Bereichen RFSOI, SiGe RF GaN erfahren m?chten, besuchen Sie uns doch auf den kommenden ÌÇÐÄÊÓƵ Technology Summits in Santa Clara, Shanghai und M¨¹nchen sowie bei unserem ÌÇÐÄÊÓƵ Technology Training f¨¹r unsere Kunden aus der Luft- und Raumfahrt- sowie der Verteidigungsindustrie in Washington, D.C.

Alex Margomenos leitet das Produktmanagement der RF-Produktlinie bei ÌÇÐÄÊÓƵ. Die RF-Produktlinie umfasst RFSOI-, RF GaN und SiGe , die in den Bereichen Mobilfunk-HF-Frontends, Satellitenkommunikation, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung und Mobilfunkinfrastruktur zum Einsatz kommen. Er ist seit vier Jahren bei ÌÇÐÄÊÓƵ t?tig. Zuvor hatte er F¨¹hrungs- und Fachpositionen bei Apple, Intel, Infineon und HRL Laboratories inne.