ÌÇÐÄÊÓƵ

ÌÇÐÄÊÓƵ stellte seine revolution?re ÌÇÐÄÊÓƵ ^{Fotonix?-Plattform} erstmals im Jahr 2022 vor, wobei der Schwerpunkt auf optischen Verbindungen lag. Die Plattform erreichte ¨¹ber PAM4-Signalisierung eine Datenrate von bis zu 100 Gigabit pro Sekunde pro Wellenl?nge (100G/¦Ë). Mit einer extrem hohen Datenrate und einer bis zu 10.000-fachen Verbesserung der Systemfehlerrate war unsere ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix-Plattform der ersten Generation ein wichtiger Schritt hin zu optischen Chiplets, die eine schnellere und effizientere Daten¨¹bertragung erm?glichen.

Diese Erfolge haben sich als erfolgreich erwiesen und ÌÇÐÄÊÓƵ als Marktf¨¹hrer im Bereich ? Siliziumphotonik ¡° etabliert ( ), doch damit haben wir uns nicht zufrieden gegeben. Werfen wir einen Blick auf einige der neuesten Fortschritte, die wir auf unserer ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix-Plattform erzielt haben, darunter eine erh?hte Designflexibilit?t, Bandbreitenerweiterungen und umfassende schl¨¹sselfertige Unterst¨¹tzung durch die Entwicklung unseres k¨¹rzlich angek¨¹ndigten ?Advanced Packaging ¡° und ?Photonics Center¡°.

Extreme Flexibilit?t

Die ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix-Plattform wurde entwickelt, um den Kunden die gr??tm?gliche Flexibilit?t zu bieten, damit sie die verschiedenen Anforderungen der Anwendungen und Marktsegmente erf¨¹llen k?nnen:

• Prozess-Flexibilit?t: Der ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix-Prozess kann als integrierter Photonik + RF CMOS-Flow oder als reiner Photonik-Flow betrieben werden, je nach Anwendung und Systemanforderungen des Kunden.
• Freiform-Designs: Die Technologie erm?glicht das Design passiver Komponenten in freier Form, solange die kundenspezifischen Bauelemente die Designregeln erf¨¹llen. Die Unterst¨¹tzung f¨¹r kundenspezifische photonische Bauelementedesigns erfolgt nativ im Prozessdesign-Kit (PDK) durch die Unterst¨¹tzung von Technologiedateien f¨¹r die f¨¹hrenden Bauelementesimulatoren der Branche.
• "Langsam und breit" vs. "Schnell und schmal": ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix bietet Design-Flexibilit?t, indem es die Implementierung sowohl von Course-Wave (CWDM) als auch von Dense-Wave-Division-Multiplexing (DWDM) zur Optimierung der Beachfront-Dichte (Bandbreitendichte entlang der Chipkante) unterst¨¹tzt. Die f¨¹r das Wellenmultiplexing erforderlichen Komponenten wie athermische Muxs/De-Muxs und B?nke mit Mikroringen und gekoppelten Ringresonatoren sind im PDK verf¨¹gbar.

Von hochfrequentierten KI-Rechenzentren bis hin zu fortschrittlichen Fahrerassistenzsystemen der n?chsten Generation arbeiten wir kontinuierlich mit unseren Kunden in allen Endm?rkten zusammen, um ihre Designanforderungen zu verstehen und die Funktionen und Weiterentwicklungen hinzuzuf¨¹gen, die ihre Chips auf die n?chste Stufe bringen werden.

Verdopplung der Bandbreite

Die zweite Generation von ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix unterst¨¹tzt 200G/¦Ë und verdoppelt damit die Bandbreitengeschwindigkeit gegen¨¹ber der vorherigen Generation, um "schnelle und schmale" Architekturen zu unterst¨¹tzen. Wir haben auch alle aktiven photonischen Bauelemente wie Modulatoren (Mikro-Ring, Mach Zehnder und Ring Assisted Mach Zehnder), Photodioden und Transistoren verbessert, um die monolithische Integration zu unterst¨¹tzen. Es wurden bahnbrechende Fortschritte bei der Ausbeute von Modulatorb?nken erzielt, um "langsame und breite" Architekturen mit mehreren Lambdas zu unterst¨¹tzen.

Die IOSMF (passive Faserkoppler auf Basis von V-Nuten) wurden in zweierlei Hinsicht wesentlich verbessert. Erstens erm?glicht eine Verringerung des Abstands der einzelnen V-Nuten von 250 ¦Ìm auf 127 ¦Ìm eine doppelt so hohe optische Dichte. Zweitens haben wir die Unterst¨¹tzung f¨¹r Spotgr??enkonverter aus Siliziumnitrid (SiN) hinzugef¨¹gt, um die power um mehr als das Vierfache zu steigern.

Mit Blick auf die Anforderungen des Co-Packaging haben wir mit mehreren Anbietern an L?sungen f¨¹r abnehmbare Glasfaseranschl¨¹sse auf Wafer- und Die-Ebene gearbeitet. Mehrere Demos dieser L?sungen werden auf der 2025 Optical Fiber Communications Conference and Exhibition (OFC) in San Francisco im April dieses Jahres vorgestellt.

Schlie?lich haben wir die Unterst¨¹tzung f¨¹r Thru-Silicon-Vias (TSV) durch den photonischen IC (PIC) hinzugef¨¹gt. Diese Funktion erm?glicht die 2,5D-/3D-Stapelung des elektrischen ICs auf dem PIC. Diese TSVs k?nnen f¨¹r Hochgeschwindigkeits-Signal¨¹bertragung, power und W?rmeableitung genutzt werden.

Advanced Packaging und Photonikzentrum

Anfang dieses Jahres k¨¹ndigte ÌÇÐÄÊÓƵ die Einrichtung eines in seiner Art einzigartigen Zentrums f¨¹r die ? advanced packaging ¡° und die Pr¨¹fung in unserem Produktionswerk in New York an. Dieses neue Zentrum wird es uns erm?glichen, die in unserem Werk in New York hergestellten Chips vollst?ndig innerhalb der Vereinigten Staaten zu verarbeiten, zu verpacken und zu pr¨¹fen. Dies wird uns dabei helfen, die wachsende Nachfrage nach sicheren Lieferketten f¨¹r unsere unverzichtbaren Chips in kritischen Endm?rkten wie der Automobilindustrie, der Kommunikationsinfrastruktur sowie der Luft- und Raumfahrt und der Verteidigungsindustrie zu decken.

Mit diesem neuen Zentrum ist ÌÇÐÄÊÓƵ nun in der Lage, eine schl¨¹sselfertige L?sung f¨¹r unsere ? Siliziumphotonik ¡°-Chips anzubieten, die Dienstleistungen in den Bereichen ? advanced packaging ¡°, Montage und Pr¨¹fung umfasst, um die Chips in einzelne, f¨¹r den Einsatz in Endprodukten bereitgestellte Geh?use zu verwandeln. Im Bereich IP bauen wir unser GlobalSolutions-?kosystem kontinuierlich aus ¨C mit verifizierten und siliziumerprobten IP-L?sungen von Branchenexperten, die sich problemlos in ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix integrieren lassen, um Ihre ma?geschneiderten ICs auf dem neuesten Stand der Technik zu entwickeln.

Um mehr ¨¹ber ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix zu erfahren und zu entdecken, wie unsere ? Siliziumphotonik ¡°-Prozesstechnologien Ihre Entw¨¹rfe f¨¹r die n?chste Generation der Glasfaserkommunikation unterst¨¹tzen k?nnen, nehmen wir vom 1. bis 3. April an der OFC 2025 in San Francisco teil. Besuchen Sie uns am Stand Nr. 3220, um mit unseren technischen Vertretern zu sprechen und Muster von auf ÌÇÐÄÊÓƵ Fotonix basierenden verpackten ICs zu begutachten. Wir freuen uns darauf, Sie dort zu sehen!

Kevin Soukup ist Senior Vice President der Produktlinie ? Siliziumphotonik ¡° von ÌÇÐÄÊÓƵ und leitet den Gesch?ftsbereich ? Siliziumphotonik ¡° des Unternehmens, der es Kunden erm?glicht, enorme Datenmengen ¨¹ber hochgeschwindigkeitsf?hige, elektrooptische Systeme mit ? Energieeffizienz ¡° zu ¨¹bertragen.