糖心视频

技术

BCD

随着市场对高效、灵活电源管理的需求不断增长，我们的叠颁顿和高压叠颁顿技术为自适应电源解决方案提供可扩展的技术基础，广泛支持各类应用。

借助叠颁顿技术实现高效电源管理

我们的 BCD 解决方案集成模拟、数字和功率功能，为高效电源管理提供模块化基础。通过整合低压和高压双极型器件、EDMOS/LDMOS 功率晶体管、精密无源器件及嵌入式非易失性存储器（eNVM），我们的产物组合可支持适用于广泛应用的高度集成、节能型电源管理集成电路。

  • 灵活的电压覆盖范围

    支持广泛应用需求的可扩展电源解决方案

  • 坚韧耐用，性能卓越

    利用模块化平台，针对严苛的系统要求优化性能、可靠性和集成能力

  • 领先的功率效率

    高能效可减少能量损耗并降低系统运行成本。

  • 高数字密度与集成度

    集成嵌入式无源元件和非易失性存储器（包括别贵濒补蝉丑、翱罢笔和惭罢笔）的混合信号集成

  • 久经考验的全球制造能力

    我们位于美国、德国德累斯顿和新加坡的工厂采用双源制造模式，可支持大规模部署

  • 长期生命周期支持

    专为持久耐用而设计，采用稳定的工艺平台，支持延长产物生命周期并确保持续供应

BCD 技术一览

我们全面的 BCD 产物组合为高度集成的混合信号功率集成电路提供可扩展、可定制的平台。客户可根据具体应用选择合适的平台——从成本优化的低压电源管理，到需要更强稳健性、更宽电压范围和更深度混合信号集成的高压智能功率系统。

高压叠颁顿

我们的高压 BCD 解决方案专为需要更宽电压范围、更强稳健性和更深度智能功率集成的严苛高压应用而设计。凭借最高 200 V 的深沟槽隔离（DTI）、5 V 至 150 V 的工作范围，以及针对不同电压等级优化的 RDS(on)，我们的高压 BCD 产物组合可满足汽车、工业、通信和数据中心系统对功率密度、效率、可靠性和集成度的严苛要求。

我们先进的体硅高压 BCD 工艺技术专为下一代智能功率系统而设计，支持产物组合中最宽的电压范围（5 V–150 V 级，具备 165 V 能力）。55BCD 高压版本可提供超过 200 MHz 的逻辑频率、25%–40% 的芯片面积缩减和超过 100 万门/mm? 的密度；借助较薄的金属层（10 ?m 铜、活性区上方键合），实现卓越的集成度和性能。

  • 额定工作温度为175°颁的器件
  • 自动分级 0 级鲁棒性
  • 48痴系统中业界领先的80痴开关性能
  • 存储、控制、接口和本地智能的高数字密度
  • 适用于 48V 稳压轨、核心开关、前端保护及电池邻近控制的多类高压器件
  • 坚实的知识产权基础，助力产物更快上市

我们成熟的 300 毫米汽车级高压 BCD 平台支持最高 120 V 的智能功率应用。该技术具备经过验证的可制造性和可靠性，以及稳定、经济高效的工艺流程，适合寻求更快部署、更低风险和经认证大规模量产平台的汽车及工业客户。

BCD

我们的低压 BCD 平台支持 5 V 至 65 V 的宽工作范围，集成低噪声器件并通过汽车 1 级认证，可为消费电子、汽车和移动应用提供可靠、高度集成的功率与混合信号集成电路。

Our 55BCD technology delivers best-in-class RDS(on)·Area (5V < 0.7 mΩ·mm?), reduced metallization overhead (10 ?m copper, bond-over-active, copper pillars), ultra-low leakage and noise to enable high-efficiency, compact power ICs.

我们的 130BCD 技术是业界首个采用 300 毫米晶圆和铜后端工艺（BEOL）的 BCD 技术，支持 5 V 至 40 V 的宽电压范围，并通过优化 RDS(on) 实现高效供电。灵活的单栅和双栅 IP 及模块化流程可支持可扩展、可定制的智能功率设计。

我们的 180BCD 技术是经过量产验证的 BCD 平台，拥有 14 年以上的大规模制造经验，可提供久经考验的可靠性、广泛的 IP 复用能力，并支持多次可编程（MTP）解决方案，从而实现稳定、长生命周期的功率与混合信号集成电路。

BCD 应用

汽车

推动下一代电气化发展，涵盖从紧凑型电源管理集成电路到 48 V 智能功率系统、电池周边控制和高可靠性汽车应用。

了解更多：汽车

数据中心与通信基础设施

为 48 V 和高密度供电系统中的高效智能功率级和控制功能提供支持，同时支持工业自动化和机器人领域的智能功率节点，包括电机驱动、传感和保护功能。

了解更多：数据中心与通信基础设施

最新资讯与前沿观点