ÌÇÐÄÊÓƵ

Die Finanzierung bringt ÌÇÐÄÊÓƵ der Serienfertigung von Galliumnitrid-Chips der n?chsten Generation Galliumnitrid-Chips der n?chsten Generation f¨¹r eine Reihe von HF- undpower

ESSEX JUNCTION, Vermont, 4. Dezember 2024 ¡ª ÌÇÐÄÊÓƵ (Nasdaq: ÌÇÐÄÊÓƵS) (ÌÇÐÄÊÓƵ) hat von der US-Regierung zus?tzliche Bundesmittel in H?he von 9,5 Millionen US-Dollar erhalten, um die Fertigung der wichtigen Galliumnitrid (GaN)-auf-Silizium-Halbleiter von ÌÇÐÄÊÓƵ in seinem Werk in Essex Junction, Vermont, voranzutreiben. Die F?rderung bringt ÌÇÐÄÊÓƵ der Gro?serienfertigung von GaN-Chips einen Schritt n?her. Dank ihrer F?higkeit, hohe Spannungen und Temperaturen zu bew?ltigen, ist die GaN-Chip-Technologie unverzichtbar, um eine h?here Leistung und gr??ere Energieeffizienz in einer Vielzahl von HF- undpower zu erm?glichen, darunter Automobilindustrie, Rechenzentren, IoT, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung.

Mit dieser Auszeichnung wird ÌÇÐÄÊÓƵ sein marktf¨¹hrendes GaN-IP-Portfolio und seine Zuverl?ssigkeitspr¨¹fungen weiterhin um neue Werkzeuge, Anlagen und Prototyping-Kapazit?ten erweitern, w?hrend das Unternehmen der Serienfertigung seiner 200-mm-GaN-Chips in Vermont immer n?her kommt. ÌÇÐÄÊÓƵ hat es sich zum Ziel gesetzt, seinen Kunden einen schnellen und effizienten Weg zu ebnen, um neue innovative Designs und Produkte zu realisieren, die die einzigartigen Vorteile der GaN-Chip-Technologie in Bezug auf Effizienz und power nutzen.

?ÌÇÐÄÊÓƵ ist stolz auf seine F¨¹hrungsrolle in der GaN-Chip-Technologie, die bahnbrechende Fortschritte in zahlreichen Endm?rkten versprechen und neue Ger?tegenerationen mit energieeffizienterer HF-Leistung sowie schneller aufladbaren und langlebigeren Akkus erm?glichen wird¡°, sagte Nicholas Sergeant, Vizepr?sident f¨¹r IoT sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung bei ÌÇÐÄÊÓƵ. ?Wir sch?tzen die Partnerschaft mit der US-Regierung und die anhaltende ±«²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ unseres GaN-Programms. Die Realisierung einer GaN-Chip-Fertigung in gro?em Ma?stab wird sowohl f¨¹r unsere kommerziellen als auch f¨¹r unsere staatlichen Partner ein Innovationsmotor sein und die Widerstandsf?higkeit der Halbleiter-Lieferkette erh?hen sowie diese st?rken.¡°

Die neue Finanzierung, die vom Trusted Access Program Office (TAPO) des US-Verteidigungsministeriums vergeben wurde, ist die j¨¹ngste staatliche Investition zur ±«²Ô³Ù±ð°ù²õ³Ù¨¹³Ù³ú³Ü²Ô²µ des GaN-Programms von ÌÇÐÄÊÓƵ in Vermont.

"Diese strategische Investition in kritische Technologien st?rkt unser heimisches ?kosystem und die nationale Sicherheit und stellt sicher, dass diese Anlagen f¨¹r das Verteidigungsministerium leicht verf¨¹gbar und sicher sind. In Zusammenarbeit mit wichtigen Partnern st?rkt dieser Ansatz die Verteidigungssysteme und erh?ht die Widerstandsf?higkeit und Reaktionsf?higkeit", sagte Dr. Nicholas Martin, Direktor der Defense Microelectronics Activity.

Insgesamt hat ÌÇÐÄÊÓƵ seit 2020 mehr als 80 Millionen US-Dollar von der US-Regierung erhalten, um Forschung, Entwicklung und Weiterentwicklung zu unterst¨¹tzen und so den Weg f¨¹r die Herstellung von GaN-Chips in gro?em Ma?stab zu ebnen.

Vermont ist eine in den USA akkreditierte ?Trusted Foundry das globale Zentrum des GaN-Programms von ÌÇÐÄÊÓƵ, das seit langem eine f¨¹hrende Rolle in der 200-mm-Halbleiterfertigung einnimmt. Im Juli 2024 erwarb ÌÇÐÄÊÓƵ Power von Tagore Technology und gr¨¹ndete das ÌÇÐÄÊÓƵ Kolkata Power in Kalkutta, Indien. Das Zentrum arbeitet eng mit dem ÌÇÐÄÊÓƵ-Standort in Vermont zusammen und unterst¨¹tzt diesen. Es tr?gt dazu bei, die Forschung, Entwicklung und F¨¹hrungsrolle von ÌÇÐÄÊÓƵ in der GaN-Chipfertigung voranzutreiben.

?ber ÌÇÐÄÊÓƵ

ÌÇÐÄÊÓƵ ist ein f¨¹hrender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt im Alltag, bei der Arbeit und bei der Vernetzung verl?sst. Wir entwickeln innovative L?sungen und arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen, um power und leistungsst?rkere Produkte f¨¹r die Automobilindustrie, intelligente Mobilger?te, das Internet der Dinge, die Kommunikationsinfrastruktur und andere wachstumsstarke M?rkte bereitzustellen. Mit unserer globalen Produktionspr?senz in den USA, Europa und Asien ist ÌÇÐÄÊÓƵ ein vertrauensw¨¹rdiger und zuverl?ssiger Partner f¨¹r Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes und vielf?ltiges Team Ergebnisse mit einem unersch¨¹tterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter .

^{?ÌÇÐÄÊÓƵ}Inc., ÌÇÐÄÊÓƵ, ÌÇÐÄÊÓƵ, die ÌÇÐÄÊÓƵ-Logos und andere ÌÇÐÄÊÓƵ-Zeichen sind Marken von ÌÇÐÄÊÓƵ Inc. oder deren Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Michael Mullaney
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